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The HGTP12N60B3 and HGT1S12N60B3S are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage...
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型号:12N60_12 PDF下载:下载PDF文件查看货源 内容描述:12A , 600V N沟道功率MOSFET [12A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET] 分类和应用: 文件页数/大小:7 页 / 366 K 品牌: UTC [ Unisonic Technologies ] UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 12N60 ...
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JHW12N60C-W mos管、场效应管.pdf,N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET JHW12N60 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 12 A ID 600 V VDSS 0.65Ω Rdson(@Vgs=10V) 39nC Qg 用途 APPLICATIONS 高频开关电源 High efficiency switch 电子镇流器 mode pow