삼성전자가 업계 최초로 36GB(기가바이트) HBM3E(5세대 HBM) 12H(High, 12단 적층) D램 개발에 성공하고 고용량 HBM 시장 선점에 나선다. 삼성전자는 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(Through-Silicon...
삼성전자가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작하며 낸드플래시 시장에서의 리더십을 공고히 했다.
삼성전자가 0.8㎛(마이크로미터∙100만분의 1m) 픽셀을 적용한 ‘아이소셀 브라이트 GW1(6,400만 화소)’과 ‘아이소셀 브라이트 GM2(4,800만 화소)’를 공개했다.
삼성전자가 전 세계 반도체 업계 최초로 전 사업장에 대해 영국 카본트러스트의 ‘탄소/물/폐기물 저감’ 인증을 받았다. ※ 카본 트러스트(Carbon Trust): 영국 정부가...
※ DTG 기술: 특정 온도 이상으로 오르지 않도록 제품을 단계적으로 조절하여, 과열 등으로 발생할 수 있는 데이터 신뢰성 문제, 갑작스러운 성능 ...
현재의 삼성 Foundry 첨단 10나노 기술과 비교했을 때, 7LPP EUV 공정은 제조의 복잡성을 줄이고 처리 단계를 단축시켜 수율을 향상시킬 것으로 기대하고 있다. 특히 새로운 프로세스...
이번 제품은 100단 이상의 셀을 한 번에 뚫는 단일공정(1 Etching Step)으로 만들면서도 ‘속도·생산성·절전’ 특성을 동시에 향상해 역대 최고의 제품 경...