如上表,45nm 及以下节点,采用HKMG(High-k Metal Gate)工艺,使用高k材料做栅介质层;45nm以上的节点,主要使用氧化硅做栅介质层。什么是栅介质层?如上图,图中位于上方的灰色区域表示栅极(gate),通过施加电压在栅极,控制源极和漏极之间的电流沟道形成与否。栅极下面的...
高k介质材料(High-k dielectric materials)指的是介电常数(或称相对介电常数)较高的材料。介电常数是衡量材料对电场响应的能力的一个重要物理量,简而言之,它表示材料在电场作用下的电容储存能力。 1. 什么是介电常数(k值)? 介电常数(k值)是一个无量纲的数值,用来描述某种材料相对于真空在电场中存储电能的能力...
这个的意思是相对介电常数。高k介质中的k表示相对介电常数，也称为介电常数或介质常数。相对介电常数是一个物质相对于真空（或空气）的电容率，即介质中电场强度与真空（或空气）中电场强度的比值。高k介质的相对介电常数通常大于10，相较于空气或真空的介电常数而言，高k介质的电容率更大，因此可以...
高K材料(High-K Dielectric)是指介电常数(K值)高于SiO₂(K≈3.9)的材料,其优势包括: 1️⃣ 降低漏电流:高K材料的介电常数较大,可以在保持相同栅极电容的同时增厚栅极介质层,从而减少隧穿效应导致的漏电流。用HfO₂代替SiO₂,可以在栅介质物理厚度增加的同时,等效氧化厚度(EOT)保持不变。 2️⃣ ...
高k金属栅 集成电路工艺课件 星级: 57 页 高K金属栅 集成电路工艺课件 星级: 57 页 高k栅介质CMOS集成电路老化模型研究 星级: 61 页 集成电路制造工艺原理-《集成电路制造工艺原理》 星级: 149 页 集成电路制造工艺 星级: 18 页 集成电路的制造工艺 星级: 5 页 集成电路制造工艺 星级: 3 页 ...
高k 介质技术 1 概述: 从第一块晶体管诞生到现在, 微电子经过了长达 60 多年的发展, 发展速度惊人。 在材料方面, 第一代半导体技术以 Si、 Ge 材料为代表的, 紧接着开发出了 化合物半导体, 以砷化镓为代表。 近年来又开发出了 宽禁带半导体材料, 如SiC、 ZnSe 等, 称其为第三代半导体技术。 在工艺...
高K介质材料选择指南:五大关键因素 在半导体工艺中,高K介质(High-K Dielectric)被广泛用于替代传统的SiO₂栅氧化层,以减少漏电流并提升器件性能。选择合适的高K介质需要考虑多个关键因素,以下是一些重要的考量点: 介电常数(K 值)🌐 目标是选择K值比SiO₂(~3.9)更高的材料,以降低等效氧化层厚度(EOT)。然而...
氧化镁因化学惰性,禁带宽度为7.8eV,本征材料介电常数为9.8,被选作高K介质材料,可以用在MOSFET中取代SiO2作为新的绝缘层介质。氧化镁薄膜光学和电学性质以及膜厚等对制造和表征这些光电器件显得极为重要。分别用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)和射频磁控溅射法(R.FMagnetronSputtering)在硅和蓝宝石上生长了较薄(...
对于上面的负面影响,解决方案就是高K材料的选择,即选择高介电常数的介质,则以保证栅介质厚度足够厚,防止隧穿电流,同时选择使用金属栅以克服多晶硅的耗尽效应,消除硼穿透效应。 近几年研究的高K材料的焦点主要集中在以下几种材料上,现在我们知道Hf基材料已经应用在了商业芯片上,但是同时研究其它材料同样重要,因为我们...
高K介质是一种具有高电子迁移率的材料,是半导体工业中非常重要的一种材料。随着科技的不断进步,高K介质的应用越来越广泛,其发展前景也越来越广阔。 首先,高K介质在半导体存储器中的应用是一个重要的方向。高K介质可以用来制造存储器芯片,可以大大提高存储器的性能和容量。随着信息技术的发展,存储器市场前景广阔,高...