高频光电导法测少子寿命 ⾼频光电导法测少⼦寿命 实验6 ⾼频光电导法测少⼦寿命 学习⽬标 1、掌握⾼频光电导衰减法测量半导体单晶中少⼦寿命的实验原理；2、掌握⾼频光电导衰减法测量半导体单晶中少⼦寿命的实验⽅法；3、完成⾼频光电导衰减法测量半导体单晶中少⼦寿命的实验内容；4、加深理解...
三、实验设备 本实验采用LT-2高频光电导少数载流子寿命测试仪。该仪器灵敏度高,配备有红外光源,可测量包括集成电路级硅单晶在内的各种类型硅单晶及常用的晶体管级锗单晶。该仪器根据国际通用方法—高频光电导衰退法的原理设计,由稳压电源、高频源、检波放大器、脉冲光源及样品电极共五部分组成,采用印刷电路和高频接插件...
高频光电导法测少子寿命 姓名 实验时间 2018.11.07 学号 指导教师 成绩 批改时间 报告内容 一、实验目的和任务 1、了解光电导法测试少数载流子寿命的原理,熟练掌握LT-2高频光电导少数载流子寿命测试仪的使用方法; 2、测非平衡载流子的寿命。 二、实验原理 处于热平衡状态的半导体,在一定温度下,载流子浓度是一定的。
高频光电导衰减法测量Si中少子寿命 一、概 述 半导体中的非平衡少数载流子寿命是与半导体中重金属含量、晶体结构完整性直接有关的物理量。它对半导体太阳电池的换能效率、半导体探测器的探测率和发光二极管的发光效率等都有影响。因此，掌握半导体中少数载流子寿命的测量方法是十分必要的。测量非平衡少数载流子寿命的方法...
用高频光电导衰退法测量硅单晶棒或单晶片的少子寿命。 3.实验原理 3.1 直流光电导衰退法 直流光电导衰退法是根据恒定电流作用下半导体样品的光电导随时间衰减的特性来测量少子寿命的。其测试简图见图1。图中,R是被测半导体样品的体电阻,E是直流电源,RC是测试回路的限流电阻,且选择 ,故可近似认为流过样品的电流I...
实验6 高频光电导法测少子寿命 学习目标 1、掌握高频光电导衰减法测量半导体单晶中少子寿命的实验原理; 2、掌握高频光电导衰减法测量半导体单晶中少子寿命的实验方法; 3、完成高频光电导衰减法测量半导体单晶中少子寿命的实验内容; 4 、加深理解少数载流子寿命与半导体其它半导体物理参数的关系。 建议学时:2 学时 原理 ...
1、实验报告院别电子信息学院课程名称半导体物理实验班级姓名学号成绩高频光电导法测少子寿命2018.11.07实验名称实验时间指导教师批改时间报告内容一、实验目的和任务1、了解光电导法测试少数载流子寿命的原理,熟练掌握LT-2高频光电导少数载流子寿命测试仪的使用方法;2、测非平衡载流子的寿命。二、实验原理处于热平衡状态的半...
用高频光电导衰退法测量硅单晶棒或单晶片的少子寿命。 3.实验原理 3.1直流光电导衰退法 直流光电导衰退法是根据恒定电流作用下半导 体样品的光电导随时间衰减的特性来测量少子寿命 的。其测试简图见图1。图中,R是被测半导体样 品的体电阻,E是直流电源,R C 是测试回路的限流 电阻,且选择RR C ,故可近似认为流...
实验2 高频光电导法测少子寿命 胡云峰 目录 实验目的 实验原理 实验设备 实验步骤 实验目的 了解光电导法测试少数载流子寿命的原理,熟练掌握LT-2高频光电导少数载流子寿命测试仪的使用方法; 测非平衡载流子的寿命。 实验原理:非平衡载流子的产生 实验原理:非平衡载流子的寿命 单位时间 实验原理:直流光电导衰减法 实验原...
实验一高频光电导衰减法测量硅单晶少子寿命 微电子2班王家裕11342069 一.实验目的 1.掌握用高频光电导衰减法测量Si单晶中少数载流子寿命的原理和方法。 2.加深对少数载流子寿命及其与样品其它物理参数关系的理解。 3.学会使用LT-1B型高频光电导少数载流子寿命测试仪。 二.实验原理 ❶实验测试系统原理图如下所示。Rs...