高频光电导衰减法测量Si中少子寿命 一、概 述 半导体中的非平衡少数载流子寿命是与半导体中重金属含量、晶体结构完整性直接有关的物理量。它对半导体太阳电池的换能效率、半导体探测器的探测率和发光二极管的发光效率等都有影响。因此，掌握半导体中少数载流子寿命的测量方法是十分必要的。测量非平衡少数载流子寿命的方法...
若水平扫描时间为t,则寿命=横坐标(格数)t。 图5示波器荧光屏信号 六、思考题 1.简述少子寿命概念。 2.当样品含有重金属且存在缺陷时,它们对寿命有影响吗? 3.什么是小注入的条件? 4.是否可选择可见光做光源?©2022 Baidu |由 百度智能云 提供计算服务 | 使用百度前必读 | 文库协议 | 网站地图 | 百度...
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