高介电常数材料在半导体存储器件中的应用 邵天奇任天令李春晓朱钧 ( 清华大学微电子学研究所 北京 100084) 20010109 收稿 20010611 收改稿 摘要 : 高介电常数材料是当前微电子行业最热门的研究课题之一 G 它的应用为解决当前半导体器件尺寸缩 小导致的栅氧层厚度极限问题提供了可能性 同时利用一些高介电常数材料具有...
高介电常数材料在半导体存储器件中的应用 邵天奇 任天令 李春晓 朱钧 (清华大学微电子学研究所,北京,100084) 20010109收稿,20010611收改稿 摘要:高介电常数材料是当前微电子行业最热门的研究课题之一。它的应用为解决当前半导体器件尺寸缩 小导致的栅氧层厚度极限问题提供了可能性,同时利用一些高介电常数材料具有的特...
内容提示: 高介电常数材料在半导体存储器件中的应用邵 天奇 任天令 李春晓 朱 钧(清华大学微电子学研究所, 北京, 100084)20010109 收稿, 20010611 收改稿摘要: 高介电常数材料是当前微电子行业最热门的研究课题之一。 它的应用为解决当前半导体器件尺寸缩小导致的栅氧层厚度极限问题提供了 可能性, 同时利用一些高...
第2 2 卷第3 期 2 0 0 2年 8月 固体 电子学研究与进展 r e s e a r c hamp;amp;p r o g r e s s o f s s e voi 22 no3 aug20 02 高介 电常数材料在 半导体
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