TOF-SIMS（Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry）是通过用一次离子激发样品表面，打出极其微量的二次离子，根据二次离子因不同的质量而飞行到探测器的时间不同来测定离子质量的极高分辨率的测量技术。工作原理 1. 利用聚焦的一次离子束在样品上进行稳定的轰击，一次离子可能受到样品表面的背散射（概率很小...
飞行时间-二次离子质谱仪（Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry，简称TOF-SIMS）是一种基于质谱的表面分析技术。其原理是基于一次离子与样品表面相互作用（如下图）。高能一次离子束（如Ga+，Bi3+， Arn+，Cs+等）轰击样品表面，在轰击区域产生包含样品表面成分信息的带电粒子即离子，这些带电离子经过...
二、飞行时间质量分析器(TOF) 二次离子被提取到无场漂移管,沿既定飞行路径到达检测器。由于给定离子的速度与其质量成反比 , 因此不同质量的 离子的飞行时间不同。质量越轻,到达检测器的时间越早。通过监测进入检测 器的离子的飞行时间可以得到样品表面的质谱。 二次离子的质量 (m)和它的飞 行时间(t) 的平方成...
通常用磁扇形或四极杆质谱仪进行质量分析 4 飞行时间二次离子质谱仪ToF-SIMS 现代ToF-SIMS仪器一般使用液态金属离子枪(LMIG)作为离子(PI)源。与电子撞击源、等离子源或表面电离源相比,液态金属离子枪可提供更高的“亮度”(即电流密度,约1010Am-2sr-1)和更窄的离子束。离子束亮度和直径都是实现亚微米空间分辨率...
飞行时间-二次离子质谱仪(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry,简称TOF-SIMS)是一种基于质谱的表面分析技术。其原理是基于一次离子与样品表面相互作用(如下图)。高能一次离子束(如Ga+,Bi3+, Arn+,Cs+等)轰击样品表面,在轰击区域产生包含样品表面成分信息的带电粒子即离子,这些带电离子经过质量分析后...
测试项目:质谱、面扫、深度剖析飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)是一种在化工材料、微电子行业、生命科学和细胞分析等领域广泛应用的技术。它提供了两种型号的仪器:TOF-SIMS 5 iontof 和 PHI NanoTOFII,能够进行质谱、面扫和深度剖析三种测试。 送样要求 📦 ...
飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)是一种非常灵敏的表面分析技术,主要用于材料表面以下纳米级别的浅表层分析,能够检测元素周期表中所有元素及其同位素,检测限在ppm级别(特殊情况可至ppb)。可以提供样品表面、薄层、界面的详细元素和分子信息,并能提供全面的...
飞行时间二次离子质谱仪,简称TOF-SIMS,是一种高精度、高分辨率的材料表面分析技术。它能够通过发射离子束对样品进行轰击,分析溅射出的二次离子的质量、数量和能量分布等信息,进而实现对材料表面和亚表面层结构的深入研究。在锂含量分析方面,飞行时间二...
扫描电镜飞行时间二次离子质谱联用仪是一种用于化学、物理学、材料科学领域的分析仪器，于2018年10月15日启用。技术指标 电子枪最大束流：400nA/高真空分辨率：0.7nm @ 15kV (SE)，1.2nm @ 1kV (BSE)，0.8nm @ 30kV (STEM)/离子枪最大束流：50nA/离子枪分辨率：在SEM-FIB重合点位置上，优于2.5nm ...