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高特GESD5B244JDO是一款体积小巧的DFN2510封装静电防护器件，集成了四个静电防护通道，采用5V双向和28V单向双通道设计，专门用于保护PD USB-C接口的D+、D-以及CC信号线，同时简化了PCB布线，降低了成本，并通过减少SMT贴片次数提高了性价比。GESD5B244JDO具备低电容值和快速响应时间，确保快速泄放静电，防止设备损坏。
充电头网了解到高特电子全新推出了四通道静电防护器件GESD5B244JDO,专为 PD3.1 USB-C 接口静电防护而精心打造,同时具有更高的性价比,可为设备提供全方位的静电防护。 高特GESD5B244JDO GESD5B244JDO采用 DFN2510 封装外形,体积仅为2.5*1.0*0.5(mm),内部集成了四个静电防护通道,采用5V双向和28V 单向的双通道...
图2为一种采用栅极耦合技术的静电防护电路。通过不断调试电容和电阻的大小,在高ESD应力下,可以将一个合适的电压耦合到NMOS和PMOS的栅极,从而降低NMOS和PMOS的开启电压,大尺寸多叉指NMOS器件的非均匀开启问题可以通过栅极耦合技术得到克服。 然而对于NMOS和PMOS,如果耦合到栅极的偏置电压较高,会引起更多的沟道电流和较...
现在许多电子产品都会遇到过产品被静电击穿而损坏的问题,而这个问题产生的原因通常是集成类的芯片元件被静电击穿坏掉,但是只要你提前做好静电防护措施,比如电子产品组装时候带静电环,在充电器内部装配静电防护器件,可以有效防止静电带来的损失。 在产品装配车间,我们经常能看到有些员工手上佩戴静电防护的工具,而用户在日常...
ESD防护器件也称为静电防护器件,当PD充电器配置静电防护器件后可以有效解决电路中的静电高压浪涌问题,该问题会引起PD充电器电路中的电压超过设定的范围后,引起PD充电器内敏感元件不必要的损坏或者故障。越来越多的厂商开始认识到ESD静电防护器件的重要性,纷纷引进专业的ESD防护器件提高产品的可靠性和良品率。
PD USB-C 接口的快速发展,对静电防护器件提出了更高的要求。高特电子全新推出的 GESD5B284JDO 四通道静电防护器件,专为 PD3.1 USB-C 接口静电防护而精心打造,为您的设备提供全方位的静电防护。 GESD5B284JDO产品介绍 GESD5B284JDO采用 DFN2510 封装外形,体积仅为2.5*1.0*0.5(mm),其独特之处在于并列集成了四...
晶圆级CSP封装带回扫静电防护器件GED03C6BU GESD03C6BU采用CSP0603晶圆级CSP封装，外形尺寸仅为0.6*0.3*0.2mm，特别是厚度仅为0.2mm，非常适用于空间异常受限的应用环境。GESD03C6BU具有深度回扫的I/V曲线特性，工作电压3.3V，8/20μs峰值电流9A，TLP 16A条件下的钳位电压仅为6V，总体电容0.22pF，nA级...
可控硅SCR(Silicon Controlled Rectifier)结构静电防护器件由于其自身的正反馈机制,具有单位面积泄放电流高、导通电阻小、鲁棒性强、防护级别高的优点,但同时它还引入了触发电压高响应速度慢、维持电压低易闩锁的缺点。本文介绍可控硅结构静电防护器件降低触发电压提高开启速度的方法。
ESD防护器件的主要作用是保护电子设备和电路免受静电放电(ESD)的损害。提高产品整体的稳定性和可靠性。 1、ESD静电二极管工作原理 将ESD静电保护二极管并联于电路中,当电路正常工作时,它处于截止状态(高阻态),不影响线路正常工作,当电路出现异常过压并达到其击穿电压时,它迅速由高阻态变为低阻态,给瞬间电流提供低阻...