从东沃USB PD快充接口浪涌静电保护方案图二,电源供电口防护和浪涌保护器件选型跟方案一一样。不同的是,在D+/D-数据接口和快充协议检测CC1/2接口防护中,东沃电子技术推荐选用集成式双向TVS二极管DWSLC05M,工作电压5V、峰值脉冲电流3.5A、漏电流0.1uA、SOT-23封装;结电容低至3.5pF,保证信号的完整性;符合IEC 61000-...
从上图可知,东沃SPI总线接口ESD静电放电防护方案设计图有两种,方案一选用了分立式ESD保护二极管DW05D-B-S,方案二选用了集成式多路 ESD保护二极管DW05-4RVLC-E。DW05D-B-S和DW05-4RVLC-E导通电压精度高、响应速度快、寄生电容值低、钳位电压低,在不影响数据传输的前提下,能够满足IEC 61000-4-2 Level 4静电...
在行业内，对ESD器件的称法有很多种：静电保护器件、静电防护元器件、ESD静电保护元器件、ESD管、ESD保护管、ESD二极管、ESD静电保护二极管、ESD防护二极管、ESD、ESD保护器件、ESD防护器件、TVS二极管阵列、瞬态电压抑制二极管阵列、瞬态抑制二极管阵列等等。接下来，东沃电子从ESD模型、ESD器件选型技巧、ESD器件类型带您走...
从方案图中可知,东沃电子技术推荐选用导通电压精度高、响应速度快、钳位电压低、低结电容ESD二极管DW05DLC-B-S做防护,保护I2C总线串口免遭ESD静电放电破坏的同时,确保传输数据的稳定性和完整性,同时还满足IEC 61000-4-2 Level 4 静电放电防护需求,保护后端电路免受静电浪涌威胁和损坏。 I2C总线串口静电浪涌保护器件...
RF射频端口浪涌静电保护方案说明 从方案图可知,方案分为2级防护:第一级防护推荐选用两端陶瓷气体放电管(GDT)2R90A-Q做共模保护,保证前端的瞬间高压保护作用,将瞬间大电流释放到地。中间采用退耦电容做延迟。由于RF射频端口的传输速率一般可高达1Gbps,对于ESD静电保护二极管的结电容要求比较高。为此,第二级防护推荐选用...
一起以USB Type-C的接口防护为切入点看USB接口静电防护方案设计及静电防护器件选型要点。USB Type-C 接口的全部关键特性集成到一个仅 1.2 mm x 1.2 mm 的超小型 WLCSP 封装中。由于具有体积小巧、待机功耗极低的特点，该解决方案非常适合具有新型 USB 接口特性的下一波移动产品、软件狗、旅行适配器、PC、配件...
在二级防护中，东沃电子技术推荐采用1颗TVS二极管保护后端工作电路的安全，TVS二极管选型，需要根据浪涌防护要求来选择，常用型号有：SMCJ58CA、5.0SMDJ58CA等等。对于以太网PHY芯片组，可能导致损坏的主要瞬变是ESD静电冲击、电缆放电事件和数据线上的电气快速瞬变，为此，东沃电子技术推荐选用4颗ESD二极管DW03DLC-B-S...
LVDS接口静电保护器件:DW05-4R2P-AT-S、DW05-4R3P-AT-S; SD卡接口静电保护器件:DW03DMS-B-E、DW03MFC-BP-S; MMC卡接口静电保护器件:DW05-4R-AT-S; 电路保护方案设计和器件选型之前,需要清楚地了解电路保护需求和EMC测试要求,这点是非常重要的。想了解更多防浪涌过电压防护方案、保护器件(TVS二极管、ESD...
多轴飞行器通过频繁控制多个电机的转速和正反转来实现前进、后退、起飞、降落等功能,由于电机的正反转或者加减速容易产生反向电动势或者瞬间过压等现象,很容易将电机的驱动器件MOS击穿,因此这里需要加入瞬态抑制二极管进行瞬态箝位,起到保护MOS的作用。 三、USB等外部接口的静电防护方案 ...