本书意在向从事半导体行业的朋友介绍半导体工艺技术,为了能给业内人士提供简单易懂并且与实际应用相结合的书。本书以实际应用为出发点,抓住目前半导体工艺的主流工艺技术进行逐一介绍,例如CVD、PVD、CMP、ETCH、Photo、IMP。然后再对典型工艺进行介绍,例如隔离技术的发展、Salicide工艺技术、ESDIMP工艺技术、AL和Cu金属...
如图 3-59 所示,是 MOSFET 理想的电压与电流特性曲线。 1 载选自《集成电路制造工艺与工程应用》第三章第四节热载流子注入效应与 LDD 工艺技术 2 载选自《集成电路制造工艺与工程应用》第三章第四节热载流子注入效应与 LDD 工艺技术 Id 随Vd的变化曲线 3.0E-03 Vg=0V 2.5E-03 线性区 非线性区 饱和区 ...
集成电路制造工艺与工程应用 2024 pdf epub mobi 电子书 图书描述 本书以实际应用为出发点,对集成电路制造的主流工艺技术进行了逐一介绍,例如应变硅技术、HKMG技术、SOI技术和FinFET技术,然后从工艺整合的角度,通过图文对照的形式对典型工艺进行介绍,例如隔离技术的发展、硬掩膜版工艺技术、LDD工艺技术、Salicide工艺技术...
《集成电路制造工艺与工程应用》第一章课件 《集成电路制造工艺与工程应用》讲义 2018/09/28 一.崛起的CMOS工艺制程技术 1. 典型工艺技术: ① 双极型工艺技术 ② PMOS工艺技术 ③ NMOS工艺技术 ④ CMOS工艺技术 2. 特殊工艺技术: ① BiCOMS工艺技术 ② BCD工艺技术 ③ HV - CMOS工艺技术 1 《集成电路制造...
1.2.3HV-CMOS工艺制程技术简介--- 1.3MOSFET集成电路的发展历史--- 1.4MOS器件的发展和面临的挑战--- 第二章：先进工艺技术---
《集成电路制造工艺与工程应用》第三章第四节热载流子注入效应与LDD工艺技术 内容简述：为了不断提高器件的性能和单位面积器件的密度，器件的尺寸不断按比例缩小。但是这种按比例缩小并不是理想的，不是所有的参数都是等比例缩小的，例如器件的工作电压不是等比例缩小的，器件的沟道横向电场强度会随着器件尺寸的不断...
源和漏有源区不会形成金属硅化物。业界利用多晶硅和Polycide的双层结构代替多晶硅栅，从而降低多晶硅的方块电阻。Polycide的材料是硅化钨（WSi2），对于厚度1KÅ的多晶硅和1.5KÅ的Polycide的双层结构的方块电阻是3ohm/sq。载选自《集成电路制造工艺与工程应用》第三章第五节金属硅化物技术 ...
《集成电路制造工艺与工程应用》第三章第四节热载流子注入效应与LDD工艺技术 内容简述：为了不断提高器件的性能和单位面积器件的密度，器件的尺寸不断按比例缩小。但是这种按比例缩小并不是理想的，不是所有的参数都是等比例缩小的，例如器件的工作电压不是等比例缩小的，器件的沟道横向电场强度会随着器件尺寸的不断...
集成电路制造工艺与工程应用 pdf - 热门视频专区 Play % buffered00:00 00:00 Unmute Enter fullscreen Play 集成电路电路是什么 该视频由百度爱采购商家提供,视频内容是以集成电路为主题,同时还展示了集成电路是什么等信息。该视频中所展示的核心参数如下:什么是集成电路,同时还为您解答了集成电路应用领域行业知识并...
需要金币:*** 金币(10金币=人民币1元) 集成电路的工程运用及制造工艺如何复习资料讲解课件.pdf 关闭预览 想预览更多内容,点击免费在线预览全文 免费在线预览全文 集成电路的工程运用及制造工艺如何复习资料讲解课件 下载文档 收藏 分享赏 0 内容提供方:159***6535 审核...