在本文中,实验环境固定在硅介质表面,采用罗门哈斯公司生产的LC100A型光刻胶,在已有成熟工艺的基础上,实验采用分段显影方法、改善前烘条件以及加入PEB烘干对提高陡直度的影响。对陡直度的评价采用显微镜定性观察,扫描电镜测量的方法。 关键词:光刻胶陡直度;提高方法 1、前言 光刻是利用光化学反应将临时电路图形从掩膜版...
本发明实施例减小在开口侧壁形成的斜坡的宽度或消除斜坡，提高了所述开口的侧壁陡直度，相应提升了半导体结构的性能。天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元，实缴资本244000万美元。通过...
转格式 208阅读文档大小:1.51M5页002544上传于2015-03-03格式:PDF 光刻胶、光刻胶固化膜和光刻胶的图案化方法 热度: 光刻胶去除方法 热度: 正性光刻胶、光刻胶层及其制备方法、光刻工艺 热度: 提高光刻胶陡直度的方法,提高光刻胶陡直度的方法,提高光刻胶陡直度的方法...
摘要:GaAs/AlGaAs多层膜的陡直度较大程度地关系到其实际应用效果,但在实际加工中较 难控制,因此有必要研究刻蚀过程中一些主要因素对其陡直度的影响。结合具体工作情况,用AZ1500 光刻胶作为掩模,GaAs/Al0.15Ga0.85As多层膜为刻蚀材料,分别使用湿法和干法对其进行刻蚀。湿法 ...
我们实验室以前有一天ICP刻蚀机,腔室比较小,我们可以刻出侧面将近90度的侧壁,最近新换了一台腔室很大的ICP刻蚀机,下电极尺寸320mm,但是刻出来的氧化硅线条侧壁陡直度很差,我调了很多参数,包括上下电极功率,腔室压力,气体流量及配比,我们使用CHF3, Ar和O2,但发现陡直度改善很有限,不知道侧壁陡直度主要取决于...
一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法,涉及硅微机械加工技术领域;包括如下步骤:步骤(一),在待刻蚀晶圆上表面涂覆光刻胶;步骤(二),采用热板对涂覆有光刻胶的晶圆进行烘烤;步骤(三),在光刻胶的上表面进行曝光显影,形成预先设计图形的光刻胶掩膜;步骤(... 李新坤,庄海涵,梁德春,... 被引量: 0发表:...
提高亚微米光栅侧壁陡直度的方法(2008清华) 上一篇离子束刻蚀方法的功能特点下一篇Ar,CHF3反应离子束刻蚀SIO2最新评论 正在加载中... 上一页 下一页 请先登录才能进行回复登录XXXXXXXXXX电器集团 更多 首页 产品中心 解决方案 新闻动态 资料下载 关于我们 联系我们 XXXXXXXXXX电器集团 Copyright 2015...
1.一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法,其特征在于:包括如下步骤: 步骤(一)、将待刻蚀晶圆(301)水平放置在热氮气中;并在待刻蚀晶圆(301)的上表面涂覆光刻胶(303); 步骤(二)、采用热板对涂覆有光刻胶(303)的晶圆(301)进行烘烤; 步骤(三)、在光刻胶(303)的上表面进行曝光显影,形成预先设计图形的...
1、掩膜的影响:ICP 刻蚀是图形转移的过程,因此掩膜的制备对刻蚀非常重要。最常见的掩膜是光刻胶(链接金属(如A1、Ni等)。一个好的掩膜要求陡直度较高,边缘光滑。底部去除干净无残留,抗高温和抗轰击能力强。 掩膜的陡直度和边缘的光滑程度直接影响刻蚀剖面的陡直度和侧壁的光滑程度。虽然可以通过工艺参数的调整改善...
形成原因是地壳的新构造抬升与外力的侵蚀、剥蚀。形成机制是流水溯源侵蚀—岩石块体崩塌—谷坡后退。今后将会向低丘—残丘的方向演化,但这将是一个较长时期的地貌过程