摘要:GaAs/AlGaAs多层膜的陡直度较大程度地关系到其实际应用效果,但在实际加工中较 难控制,因此有必要研究刻蚀过程中一些主要因素对其陡直度的影响。结合具体工作情况,用AZ1500 光刻胶作为掩模,GaAs/Al0.15Ga0.85As多层膜为刻蚀材料,分别使用湿法和干法对其进行刻蚀。湿法 刻蚀的刻蚀剂为H3PO4+H2O2溶液,
现代亚微米光栅的应用通常要求栅脊侧壁陡直。通过比较两种配备不同离子源的刻蚀机的反应离子束刻蚀结果,认为影响亚微米光栅侧壁陡直度的一个重要因素是离子束发散角(束散角),且小束散角有利于获得陡直的光栅侧壁。国内应用最广泛的双栅考夫曼刻蚀机束散角较大(大于13°),致使用常规方法获得的熔石英光栅的侧壁倾角...
掩膜的陡直度和边缘的光滑程度直接影响刻蚀剖面的陡直度和侧壁的光滑程度。虽然可以通过工艺参数的调整改善刻蚀形貌,但是效果远不如掩膜质量的改善。因此高质量的光刻技术对刻蚀非常重要。2、工艺参数的影响:首先是ICP Power 源功率,这个功率源的主要作用是产生高密度等离子体,控制离子通量。功率增加时,离子和活性基...
介绍了以SF6/O2为刻蚀气体,利用ICP(Inductively Coupled Plasma)刻蚀技术制作仿壁虎刚毛微米孔阵列硅模板过程中,刻蚀参数与图形侧壁陡直度的关系。实验结果表明基板的温度、SF6/O2气体流量的比例是影响图形侧壁陡直度关键因素。通过优化刻蚀参数,改善了轮廓的刻蚀状况,得到的结果为:170um高垂直度为89.7°。 著录项 来...
江苏昕感申请衬底材料零位对齐标记刻蚀方法以及半导体器件专利，使零位对齐标记得到陡直的侧壁角度 金融界2025年4月7日消息，国家知识产权局信息显示，江苏昕感科技有限责任公司申请一项名为“衬底材料零位对齐标记刻蚀方法以及半导体器件”的专利，公开号 CN 119764171 A，申请日期为2024年12月。专利摘要显示，本申请公开...
通过比较了不同的对比度的胶所形成的图形轮廓(profile),我们可以发现在相同的曝光条件下对比度高的光刻胶相比于对比度低的光刻胶具有更加陡直的侧壁。3. 抗刻蚀比如果光刻后道工艺是干法刻蚀,光刻胶作为刻蚀掩膜,就需要光刻胶具有较高的抗刻蚀性。这一性能通常是以刻蚀胶的速度与刻蚀衬底材料的速度之比来表示...