(2) N-MOSFET防反接电路原理 图2 N-MOSFET防反接电路原理图 从图2可以看出,电源电流走向先经过负载然后从Q1 N-MOSFET的S极出N-MOSFET的D极,由于N-MOSFET的DS之间中存在寄生二极管,所以第一阶段负载两端的电压为: 第二阶段由于电源VCC还从R1、R2、Q1流过,由于R1和R2的存在会在Q1 N-MOSFET的GS之间建立压降...
正接 时,R1提供VGS电压,MOSFET导通。反接是MOSFET不能导通,所以起到防反接保护作用。 功率MOS管的Rds(on)为20m欧姆是,2A的电流功耗只有0.08W。 正确连接是:刚上电,MOS管的寄生二极管导通,所以S的电位大概为0.6V,而G极的电位是Vz,Vz-0.6>Vgs(on),MOS的DS就会导通,由于内阻很小,随意体二极管被短路,压降几乎...
一是mos管的反向偏置信号检测及驱动电路;二是mos管的三向漏极电流限制控制电路。(1).反向漏电极位检测及控制回路如图1所示是采用npn型mosfet作为开关器件的防反向漏电保护的典型应用线路图。其工作原理如下:由tl494组成的基准电压源与vdd相连后得到一个正向直流偏流电压uab0,此信号经r2滤波后送入a1,将a1(即vdd)的...
场效应管是一种电压控制型半导体器件,其工作原理是通过改变栅极电压来控制漏极和源极之间的导电状态。场效应管具有三种基本类型:结型场效应管(JFET)、金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。在防反接保护中,通常使用MOSFET。 二、防反接保护中场效应管的型号选择 电压等级 场效应管的电压...
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的场效应晶体管,它的输入电阻非常高,输出电流非常大,具有驱动能力强、开关速度快、体积小等优点。MOS管通常具有三个引脚:栅极(Gate)、漏极(Drain)和源极(Source)。栅极用于控制输出电流的通断状态,漏极和源极则用于连接外部电源和负载。
MOSFET防反接电路通常由一个MOSFET开关和一个反向二极管组成。当电源正接时,MOSFET开关导通,电路正常工作;当电源反接时,反向二极管导通,将电源短路,从而保护电路免受损坏。 二、MOSFET防反接电路的工作原理 当电源正接时,MOSFET的栅极(G)接收到高电平信号,MOSFET导通,电流从电源正极经过MO...
DS漏源电压:DS漏源电压需要高于电路电压。如果电路需要最大30V的电压,则需要漏源电压为50V的MOSFET才能安全运行,始终选择大于实际需要的参数。反接时,MOSFET会因Vgs不足而关断,对负载电流和MOSFET都没有影响。 以上参数在正常情况下都是需要的,需要谨慎选择。
MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际...
在上期视频和文章中，我们介绍了汽车电子产品中和防反相关的各种复杂的脉冲测试，常见防反电路的类型，...
必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。这就是后面介绍电路图中栅极所接...