②使用整流桥时会产生1.2~1.4V的压降，这个压降会使输出的直流电压比输入的交流电压峰值低，在设计电路时需要考虑到这一点，以确保后续电路能够获得合适的工作电压。使用MOSFET管或肖特基二极管来代替普通二极管会有效降低整流桥的压降和功耗。3、稳压二极管和保险丝防反接电路 工作原理：由于二极管存在压降问题，会影响...
(2) N-MOSFET防反接电路原理 图2 N-MOSFET防反接电路原理图 从图2可以看出,电源电流走向先经过负载然后从Q1 N-MOSFET的S极出N-MOSFET的D极,由于N-MOSFET的DS之间中存在寄生二极管,所以第一阶段负载两端的电压为: 第二阶段由于电源VCC还从R1、R2、Q1流过,由于R1和R2的存在会在Q1 N-MOSFET的GS之间建立压降...
一、MOSFET防反接电路的组成 MOSFET防反接电路通常由一个MOSFET开关和一个反向二极管组成。当电源正接时,MOSFET开关导通,电路正常工作;当电源反接时,反向二极管导通,将电源短路,从而保护电路免受损坏。 二、MOSFET防反接电路的工作原理 当电源正接时,MOSFET的栅极(G)接收到高电平信号,...
PMOS用作电源开关,将负载与电源连接或断开,在正确连接电源期间,MOSFET由于正确的VGS(栅极到源极电压)而导通,但在反极性情况下,栅极到源极电压太低而无法导通MOSFET并将负载与输入电源断开。 二极管的接法采用这张图片的接法 100R电阻是与齐纳二极管相连的MOSFET栅极电阻,齐纳二...
第四种：低内阻的MOSFET防反接 工作原理是当电源正常接入是, MOSFET导通,当电源反接后, MOSFET截止,...
MOSFET防反接保护电路安全措施 方法一: 通常情况下,直流电源输入防反接电路是运用二极管的单向导电性来完成防反接保护。如下图所示: 图1 这个电路的好处就是使用简单,可以很方便的实现反接保护,但是不适合于低电压或者大电流时,因为二极管存在导通压降,假设二极管导通压降为0.7V,流过的电流为2A,那么在二极管上消耗...
元件造成损坏,甚至引发火灾等安全事故。因此,设计一个有效的电源防反接电路对于确保电子设备的安全运行至关重要。 电源防反接电路的核心原理是利用半导体元件的特性,如二极管、MOSFET等,来实现对电流方向的控制。当电源正 2024-02-02 16:22:30 结合实际聊聊防反接电路(防反接电路总结) ...
使用MOSFET和比较器实现反向电流保护,从而减小功耗。 反向电流的定义 反向电流是指负载端试图将电流倒灌回电源。这种现象可能在电源电压突然降低或者完全消失的时候发生,以及当电源连接时,负载端的退耦、旁路电容或者电池也可能使电流倒灌。此外,负载端电压可能超过电源端,这也会导致反向电流,比如存在感性负载导致的反向电...
PMOS用作电源开关,将负载与电源连接或断开,在正确连接电源期间,MOSFET由于正确的VGS(栅极到源极电压)而导通,但在反极性情况下,栅极到源极电压太低而无法导通MOSFET并将负载与输入电源断开。 二极管的接法采用这张图片的接法 100R电阻是与齐纳二极管相连的MOSFET栅极电阻,齐纳二极管保护栅极免受过压。
此外，PMOS防反接保护电路还包括一个MOSFET，它用作电源开关，负责连接或断开负载与电源。在电源正确连接时，由于适当的VGS电压，MOSFET会导通；但在反极性情况下，由于栅极到源极的电压过低，MOSFET将无法导通，从而断开负载与输入电源的连接。电路中还包含一个100R电阻与齐纳二极管相连的MOSFET栅极电阻，以保护栅极免受...