长鑫存储低调推出DDR5内存以来,更多内幕被挖掘出来,好消息也是接连不断,甚至第二代HBM2高带宽内存也有了重大突破。 据花旗银行的分析报告,长鑫当初在DDR4上的初期良品率只有20-30%,成熟后达到了90%。 得益于DDR4上的丰富经验,长鑫DDR5从一开始的良品率就有40%,目前稳定在80%左右,而且还在继续改进,预计到明年...
NAND Flash（闪存）：用于SSD硬盘、U盘、存储卡等，全球龙头：三星、美光、长江存储。HBM（高带宽存储）：主要用于AI计算、GPU、HPC等高性能计算领域，全球巨头：三星、SK海力士、美光，国内厂商正在追赶。近年来，存储芯片国产替代不断推进，国内企业正在加速崛起！二、国产存储芯片龙头企业及供应链梳理 1️⃣ 长鑫...
目前,HBM市场主要被韩国企业三星和SK海力士所主导。然而,长鑫存储作为国内唯一拥有自主存储技术的企业,在HBM领域的研发和生产上取得了显著进展,有望打破国外企业的垄断地位,为我国AI芯片产业带来更多的自主选择和可能性。 综上所述,长鑫存储在HBM领域的发展前景广阔,有望为我国半导体和AI领域的发展注入新的活力。
长鑫科技申请高带宽存储器 HBM 刷新专利，解决 DRAM 存储阵列数据失效风险问题 金融界 2025 年 1 月 28 日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“一种高带宽存储器 HBM 的刷新方法、装置及设备”的专利，公开号 CN 119360916 A，申请日期为 2023 年 7 月。专利摘要显示，本申请公...
1. 高带宽:长鑫HBM芯片采用3D堆叠技术,每个芯片可以提供高达1GB的存储容量,同时具有高达1024位的数据总线,可以实现高达1TB/s的带宽。 2. 低功耗:长鑫HBM芯片采用了先进的功耗管理技术,可以在保证高性能的同时,实现低功耗的特点。 3. 高可靠性:长鑫HBM芯片采...
长鑫存储正准备将主要应用于人工智能领域的高带宽存储器(HBM)以自己的技术商业化并供应给客户。据媒体12月31日报道,长鑫存储已开始向主要客户供应HBM2标准半导体样品,并计划于明年年中开始量产。
据多家媒体报道,长鑫存储不仅成功推出了稳定良品率达到80%左右的DDR5内存,并预计在未来一年内将这一数字提升至90%,还实现了HBM2内存的客户送样测试,预计明年年中可以实现小规模量产。 高带宽内存(HBM)作为AI芯片生产的关键器件,其重要性在AI大算力时代愈发凸显。传统DRAM大厂SK海力士、三星、美光凭借积淀的技术优势...
尽管长鑫存储取得了显著的进步,但与国际领先企业如三星和SK海力士等相比,仍存在一定差距。例如,三星和SK海力士等存储器制造商已经引入12nm工艺生产DDR5芯片,相比之下,长鑫存储的产品在功耗和外形尺寸方面存在劣势。 值得关注的是,长鑫存储并未满足于当前的成果。凭借在DDR5上的进展,长鑫存储已经开始推进HBM(高带宽内存)...
长鑫存储已经在合肥附近运营一座DRAM晶圆厂,并筹集资金建造第二座,将引入更先进的工艺技术,用于制造和封装HBM存储器。此外,长鑫存储尚未开发自己的HBM生产和封装技术,也不清楚是哪类型的HBM,预计未来一到两年内还不能看到相关的产品。 国内一些芯片厂商还希望将HBM与逻辑芯片集成在一起,类似于台积电的CoWoS封装,这也迫...
长鑫存储技术有限公司 作为其供应链本土化战略的关键一环,我国正全力投入高带宽内存(HBM)的生产,这种内存对推动人工智能技术的发展至关重要。据最新消息,国内领先的DRAM制造商长鑫存储技术有限公司(CXMT)已着手建设HBM生产线。据韩国媒体ET新闻报道,CXMT已购置部分设备,并预计在...查看全文 相关企业信息 公司名称:长鑫...