银烧结技术,业界又称低温连接技术,其性能优势体现在多个维度:首先,烧结形成的连接层以纯银为主,具备高达 63×10⁶ S/m 的电导率与 429 W/(m・K) 的热导率,可有效降低互连电阻与热阻;其次,银的 961℃高熔点使其在长期服役中,相较熔点低于 300℃的软钎焊材料,能规避因温度循环引发的...
一、银烧结技术的优势特点1.什么是银烧结技术20世纪80年代末期，Scheuermann等研究了一种低温烧结技术，即通过银烧结银颗粒实现功率半导体器件与基板的互连方法。银烧结技术也被成为低温连接技术（Low temperature joining technique, LTJT），作为一种新型无铅化芯片互连技术，可在低温（＜250℃）条件下获得耐高温（＞700...
银烧结作为一种材料加工技术，具有以下几个显著特点：高导电性：银是所有金属中导电性最好的，通过烧结工艺制成的银部件能够保持这种优良的导电性能。因此，银烧结产品广泛应用于需要高效电传导的场合。高强度和耐久性：尽管烧结过程中的温度低于熔点，但通过颗粒间的扩散结合形成的银制品仍然具有很高的强度和耐久性，这...
银烧结技术在国外发展遇到的主要问题是:银烧结技术所用的纳米银成本远高于焊膏,银浆成本随着银颗粒尺寸的减小而增加,同时基板铜层的贵金属镀层也增加了成本;银烧结技术需要一定的辅助压力,高辅助压力易造成芯片的损伤;银烧结预热、烧结整个过程长达60分钟以上,生产效率较低;银烧结技术得到的连接层,其内部空洞一般在微...
与传统的焊接工艺相比,银烧结技术具有更高的熔点、更低的热阻、更好的导热性能和优异的抗疲劳性能。其基本原理包括以下几个步骤: 1、银粉或银膏的制备:选用高纯度的银粉,通过添加适量的有机载体和分散剂,制备成具有一定流动性和黏度的银膏。 2、芯片与基板的预处理:对芯片和基板的连接表面进行清洁、除油和粗化...
为响应第三代半导体快速发展的需求,善仁新材宣布了革命性的无压低温银烧结技术的成功。该技术无需加压烘烤即可帮助客户实现高功率器件封装的大批量生产。 AlwayStone AS9331是一款使用了银烧结技术的无压纳米银,它是一种高可靠性的芯片粘接材料,非常适用于SiC和高功率LED芯片封装,激光控制芯片等大功率模块,并且开创...
银烧结接头形成机理 在烧结过程中,银颗粒通过接触形成烧结颈,银原子通过扩散迁移到烧结颈区域,从而烧结颈不断长大,相邻银颗粒之间的距离逐渐缩小,形成连续的孔隙网络,随着烧结过程的进行,孔洞逐渐变小,烧结密度和强度显著增加,在烧结最后阶段,多数孔洞被完全分割,小孔洞逐渐消失,大空洞逐渐变小,直到达到最终的致密度。
银烧结如何解决SiC器件的关键问题? · 高温稳定性:烧结温度低于250℃,避免芯片热损伤;连接层在200℃以上仍能稳定工作。 · 高效散热:优化单面散热设计,热阻降低至0.1℃/W(传统焊料>0.3℃/W)。 · 抗疲劳性:弹性模量低,抵御热循环应力,寿命比传统焊料延长5倍以上。
银烧结是大功率器件最合适的界面互连技术之一，具有低温烧结互连高温服役的优点。银烧结材料主要以银膏和银膜的形式存在，其中银膏是最先发展起来并且使用最为广泛的一种形式，其典型使用工艺流程如图1所示，主要包括银膏钢网印刷、烘箱烘干，然后进行芯片热贴，最后进行热压烧结互连。银膜转印技术是一种将薄膜载体上的...
随着新能源汽车放量,大功率IGBT器件广泛应用于电机驱动、车载充电模块;以及新能源功率模块对工作温度和可靠性的要求越来越高,催生SiC和GaN等宽禁带半导体芯片的普及应用,烧结银工艺成为提升其封装可靠性和性能的关键技术。 第三代半导体封装急需解决的问题是需要相对较低的工艺温度,而能够在高温下工作,银烧结工艺已经成为...