FFET单元基本结构为MFS-FET结构,即用铁电薄膜取代MOS-FET中的栅介质层、利用铁电薄膜的极化状态调制半导体表面状态,从而调制晶体管源、漏极间的导通状态,区别逻辑态“0” 和“1",以达到存储信息的目的,如图所示 当大于矫顽场的外加正向电压加在栅极上,铁电薄膜产生正极化。电场指向半导体表面,吸引负的补偿电荷到半...
2025年2月3日,Nat. Nanotechnol.在线发表了加拿大不列颠哥伦比亚大学Ziliang Ye课题组的研究论文,题目为「Resolving polarization switching pathways of sliding ferroelectricity in trilayer 3R-MoS₂」,论文的第一作者为Jing Liang和Dongyang Yang。 二维材料的堆叠顺序为探索新现象和功能器件引入了一个新的维度。值得...
有鉴于此,近日,北京理工大学赵静副教授和香港城市大学董立新教授(共同通讯作者)等合作提出了一种耦合了C60掺杂铁电共聚物P(VDF-TrFE)的单层MoS2基高性能FeFET。插入的C60分子在低电压下有效地增强了偶极子的对齐,使改进的器件表现出大的存储窗口(约16 V),高电流开/关比(>106),长保留时间(>10000 s),以及在低工...
利用纳米级厚度的NbOCl2晶体(其面内铁电性已通过电学测量得到了确认),本工作构建了NbOCl2/MoS2范德华异质结晶体管,观察到输出和传输曲线中的回滞大幅减少,并将其归因于相互抵消的电迁移电流和铁电极化电流。此外,这种几乎无回滞的特性...
近日,华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室和上海类脑智能材料与器件研究中心段纯刚教授团队,田博博教授和朱秋香副教授利用半导体能带理论阐明了界面接触对双极性电输运行为的影响机制,提出了范德华隧道结作为沟道的垂直隧穿铁电场效应晶体管(vertical tunneling FeFET)(图1a),不仅实现了双极性的电输运特性,还获得了...
近日,华东师范大学田博博教授与朱秋香副教授团队在Nano-Micro Letters期刊(2023IF: 31.6)上以“New-Generation Ferroelectric AlScN materials”为题发表了综述,详细讨论了铁电AlScN薄膜的铁电机理和畴动力学,全面总结了AlScN薄膜的不同制备技术和相应的性能优化策略,分析了其在存储和存算一体中的应用,并对铁电AlScN的商业...
通盛MOS管厂家锂电池充电管理芯片介绍 通盛小知识:PD协议和QC协议的区别有哪些? 通盛电源管理芯片IC厂家介绍信号处理过程 Transphorm和伟诠电子合作发布集成式GaN SiP系统级封装 英飞凌推出具有USB-C PD和升降压充电控制器的高压 MCU,简化嵌入式系统设计 2023(春季)亚洲充电展中国·深圳福田会展中心7号馆 伟诠PD...
铁电材料因具有外加电场下可切换的自发电极化特性,在非易失存储、存算一体芯片、负电容晶体管、非线性光伏器件等方面有着广泛的应用。最近基于二维范德华材料的研究阐明了一种全新的铁电极化机制:滑移铁电,即通过层间滑移实现铁电极化的切换。滑移铁电是当前凝聚态物理的研究前沿热点之一,并已经在转角莫尔超晶格、以及...
普通会员 企业名:李耀华 类型:经销商 电话:0755-36872662 联系人:李耀华 地址:广东深圳深圳市福田区振兴路华康大厦1栋422-426室 产品分类 电源IC(46) ∟LED驱动IC(2)∟稳压IC(36)∟其他电源IC(8) 半导体存储器(9) 二极管(21) 三极管(22) 场效应管MOSFET(13) ...
二维铁电场效应晶体管(2D FeFETs)因其具备非易失存储和快速开关性能,成为新型存储器件、神经形态突触等前沿领域的研究热点。然而,目前铁电材料和半导体层之间的相互作用机制尚未得到充分理解,尤其是在纳米尺度下,铁电极化与载流子分布之间的耦合演化关系尚缺乏精细的表征技术。