近日,美国 麻省理工学院 (Massachusetts Institute of Technology)Tilo H. Yang等,在Nature Electronics上发文,报道了极性可翻转的外延斜方六面体堆砌(3R)MoS2,可以用作铁电存储晶体管中的铁电沟道材料。 研究发现,在3R MoS2外延层中,可以自发地发生剪切转变,产生稳...
研究表明通过 CVD 直接生长的约 1.3nm 的双层 3R MoS2 在室温下具有面外铁电性。通过 DFT 计算说明了基于层间滑动的界面铁电起源,SKPM 和 Dart - SS - PFM 检测到其自发极化和铁电转换,Au/3R MoS2/Pt 器件性能使其有望用于新型存储器。CVD 合成的高质量铁电 3R MoS2 将推动其他双层或多层铁电 TMDs 的发...
MoS2是由硫原子和钼原子交替排列而成的二维材料。近年来,研究人员发现MoS2中存在着滑移铁电极化的现象,即在材料表面或界面上的原子可以发生滑移,从而引起铁电极化。滑移铁电极化是指材料中原子的滑移可以导致电子极化的现象。在MoS2中,硫原子...
近年来,研究人员发现Mos2具有滑移铁电极化(Sliding Ferroelectric Polarization)的特性,这使得Mos2成为了铁电材料研究领域的热点之一。本文将对Mos2滑移铁电极化进行全面详细、完整且深入的介绍。 2. Mos2基本性质 Mos2是由硫原子和钼原子组成的二维材料。它具有层状结构,每一层由一个钼原子层和两个硫原子层交替排列构成...
其次,铁电极化产生的电场使子带在垂直方向上发生强烈弯曲,增大子带能级。因此,通过这种简便的方法,MoS2和其他2D半导体的电子和光电子性质可以在很大范围内进行调节。这些发现也证明了CMSTS可以作为一种定量的原位能带表征技术的力量,能够有效地设计各种功能器件。
鉴于此,内布拉斯加大学林肯分校(UNL)洪霞教授团队,由大连理工大学李大卫研究员为第一作者,将单层MoS2与外延PbZr0.2Ti0.8O3(PZT)薄膜和自支撑PZT膜结合形成异质界面,通过写入不同铁电畴图案在纳尺度实现对二次谐波光信号振幅和偏振的调...
有鉴于此,近日,苏州大学游陆和方亮(共同通讯作者)等研究了由半导体MoS2和铁电CuInP2S6组成的vdW异质结的静电耦合现象。正如相关的铁电畴、表面电位和光致发光显微镜所揭示的,伴随极化反转的显著电荷注入似乎是调节MoS2的电子和光致发光性质的控制场效应。相反,MoS2的光活性也会影响CuInP2S6的极化稳定性。这项工作提供...
滑移铁电极化是指在材料中存在一种特殊的极化现象,其中正负电荷中心不重合,导致材料产生电偶极矩。滑移铁电极化通常出现在具有非中心对称结构的材料中,如铁电材料和某些半导体材料。 【MoS2 中的滑移铁电极化现象】 在MoS2 中,滑移铁电极化现象是通过实验观测到的。当 MoS2 受到外加电场作用时,其内部的电子密度会发生...
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