金属氧化物半导体场效晶体管（简称：金氧半场效晶体管；英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，缩写：MOSFET），是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其沟道极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效...
n型MOSFET是一种四端器件,p型硅衬底上有两n区构成源和漏,金属或重掺杂多晶硅作为栅,与衬底间由二氧化硅薄膜(栅氧)隔开。栅氧下源和漏间的表面区域称为沟道。 1.1 载流子浓度 根据量子力学,单位体积中电子在能量 E 和E+dE 间的态密度满足 N(E)dE=2gdpxdpydpzh3 电子动能较小时,可以认为导带底 Ec 附近的...
MOSFET的名字里其实包含了三部分:金属(Metal)、氧化物(Oxide)和半导体(Semiconductor)。在这里,“金属”指的是用来制造电极的材料,一般是铝或者多晶硅;“氧化物”则是隔离层,通常是二氧化硅;而“半导体”就是那主角了,它负责传导电流的部分,通常是硅。 2.2如何工作 MOSFET的工作原理其实有点像我们平时开的水龙头。你...
金属-氧化物-半导体场效应管(MOS-FET)金属-氧化物-半导体场效应管 Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor 1.基本知识概述2.分类、命名、标识、结构3.基本特性4.应用5.制程及工艺6.常见失效模式及案例分析 7.Derating标准及其测试方法 1.1MOSFET的基本知识 1.1.1概述 场效应管是一种利用电场效应来控制其...
金属氧化物半导体场效晶体管（简称：金氧半场效晶体管；英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，缩写：MOSFET），是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其沟道极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效...
见集成电路）。场效应晶体管包括源极、漏极、栅极和连接源漏的沟道。栅极和沟道之间的绝缘层是二氧化硅层。二氧化硅层很薄（小至几个纳米），通过栅极能有效地控制沟道的电导特性。MOSFET是大规模及超大规模集成电路中采用得最为广泛的半导体器件，主要用作二进制计算的逻辑电路，分为增强型和耗尽型两类。
金属-氧化物半导体场效应晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。 MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称上包括NMOS、PMOS
当栅极电压超过VT时,栅极下的表面区域变为反型,形成一个含有移动电子的通道,这些电子可以在源极和漏极之间的通道中传导电流。增加栅极偏置会大幅增加通道电子的密度并降低源漏电阻,使MOSFET进入导通状态。因此,阈值电压VT被方便地认为是MOSFET作为开关从关闭状态变为导通状态的转换电压。
又称绝缘栅场效应管,简称MOS场效应管(或简写为MOSFET管)。是利用半导体的表面场效应现象制成的器件。按其工作状态可以分为增强型与耗尽型两类,每类又有N沟道和P沟道之分。现以N沟道增强型绝缘栅场效应管为例说明其原理。如图 3所示,在P型半导体上有两个重掺杂的N 区,其上有两个欧姆接触电极,分 ■图3N沟...