金属金属接触势垒的产生是由于金属的电子结构特点所决定的。金属中的电子处于能带中,可以自由移动。当两个金属接触时,能带之间的电子会发生重新分布,形成能级差异。这个能级差异就是接触势垒。接触势垒的大小取决于金属的性质,如电子亲和力、电离能等。 接触势垒对金属之间的电子流动起到了重要的影响。当金属之间的接触势...
一、金属和半导体表面质量要优良 金属半导体接触势垒的形成首先需要保证金属和半导体表面质量的优良,任何缺陷都可能导致能量水平的变化,影响接触势垒的形成。因此,在制备过程中需要通过磨光、清洗等措施,保证金属和半导体表面的纯度和平整度。 二、金属和半导体的电子态密度要匹配 在金属半导体接触界...
不同功能的金属-半导体接触,其主要的差别就在于接触势垒的形式不同。见图1,(a)是Schottky势垒,(b)是Ohm接触势垒,(c)是Mott势垒。 一般的半导体与金属的接触就形成Schottky势垒,它的势垒高度为qfBn,并且在半导体表面附近处有一层空间电荷区——半导体表面势垒。当加有正向电压时(金属接电源正极),半导体表面势垒高...
接触势垒高度是指金属与半导体形成接触时,由于空穴和电子在两者间形成的氧化物势垒,金属离子和半导体中的杂质离子的影响所形成的电子位移垒高度。它可通过简单的理论计算方法进行求解,一般采用Schottky-Mott理论或Metal-Oxide-Semiconductor(MOS)理论。 三、影响接触势垒高度的因素 接触势垒高度受多种因素的影响,...
9.1.1金属半导体-肖特基势垒 喜东东smile 3879 0 1N4007 SS34/14/24/36/54/34 5819 1N5824二极管贴片M7肖特基整流 TELESKY旗舰店 1869 0 能带图分析(包含pn结、异质结、肖特基结)_南科大 弓长尔日 3161 2 1N5822 SS12/14/24/36 1N5819 1N5824 SR160贴片肖特基整流二极管 TELESKY旗舰店 671 0 (补充) 肖...
接触势垒高度的计算是近十几年来一 直关注和研究的问题 笔者在异质结带阶理论计 算 [1] 和平均键能的物理内涵研究 [4] 的基础上 , 结合 金属 半导体接触势垒模型 , 提出了一种采用平均 键能 Em 作为参考能级的金属 半导体接触势垒高 度的计算方法 , 本文介绍该方法的主要研究结果 2 金属 半导体接触势垒模型...
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金属-半导体接触势垒高度的理论计算李书平厦门大学物理系厦门361OO5DOO3-O3-11收稿OO3-O5-17收改稿王仁智蔡淑惠摘要:采用平均键能作为参考能级计算了十种金属-半导体接触势垒高度其计算结果与实验值的符合程度不亚于Tersoff和Mo方法一样可作为金属-半导体接触势垒高度的一种
金属与半导体之间的接触势垒是"肖特基势垒"。它与其他半导体之间的接触一样，形成PN结、空间电荷区（耗尽层）和接触势垒；它与其他半导体之间的接触不一样之处是：它的空间电荷区（耗尽层）在金属的一侧特别薄。接触势垒也叫接触电势差，它阻止接触双方的多子，继续向对方扩散。只有加上正向电压时，这种“...