设定金属-半导体界面为肖特基接触，或定义欧姆接触。对绝缘体-半导体界面，设置界面状态（如陷阱密度）和势...
硅化物(接合到金属的硅)已被用于源极和漏极接触,但硅化物接触电阻对Rext是显著的贡献者。金属绝缘体半导体(MIS)接触已被视为硅化物的替代。MIS接触通过在源极和漏极接触与相应的源极和漏极区域之间沉积绝缘层来形成。从理论上讲,MIS接触基于足够薄的绝缘层提供较低的电阻。技术实现要素:根据本发明的一个...
金属-绝缘体-半导体隧穿接触 背景技术:在集成电路的制造中,诸如晶体管之类的器件形成在晶圆上并且使用多个金属化层将其连接在一起。如本领域所公知的,金属化层包括用作对器件进行互连的电气通道的过孔和互连。接触将过孔和互连连接至器件。 图1是示出了具有电接触的器件的截面侧视图,其中导电接触材料通过绝缘体与被...
电接触是一种异质结,但不包括两种不同半导体之间、两种不同金属之间、或者一个半导体与一个绝缘体之间的接触。载流子通过电极向固体材料内部的注入,需要经过电接触。根据金属与非金属接触势垒的不同,电接触既可以使载流子能够注人,也有可能阻挡载流子注人。电接触分为中性接触、schottky接触和欧姆接触三类。 中眭接触时...
百度试题 结果1 题目我们通常所说的P-N结是指什么? A. 金属-半导体接触 B. 金属-绝缘体接触 C. 半导体-半导体接触 D. 半导体-绝缘体接触 相关知识点: 试题来源: 解析 C 反馈 收藏
专利摘要:公开了用于在太阳能电池的背面表面上形成薄的氧化物隧道结的可丝网印刷的金属化浆料。叉指金属接触件可以沉积于所述氧化物隧道结上以向太阳能电池提供全背面金属接触件。 专利权项:1.使硅衬底相互连接的方法,包括:在硅衬底的背表面的第一区域上丝网印刷带正电荷的电介质浆料,其中所述带正电荷的电介质浆...
Chap. 6简述霍尔效应在置于磁场中的导体或半导体内通入电流,若电流与磁场垂直,则在与磁场和电流都垂直的方向上会出现一个电动势差,这种现象称为霍尔效应。利用霍尔效应制成的元件称为霍尔传感器。所产生的电动势称为霍尔电势。为什么选用半导体,而不是金属或者绝缘体做霍尔元件霍耳电压UH与控制电...
设定金属-半导体界面为肖特基接触，或定义欧姆接触。对绝缘体-半导体界面，设置界面状态（如陷阱密度）和...