专利名称：绝缘体上半导体(SOI)技术中的高压(HV)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)专利类型：发明专利 发明人：梁晴晴,R·P·K·维杜拉,S·库玛拉萨米,G·P·埃姆图尔恩,S·格科特佩里 申请号：CN201980042695.0 申请日：20190506 公开号：CN112335055A 公开日：20210205 专利内容由知识产权出版社提供 摘要：...
quasi conductor 半导体,准导体 lightning conductor n. 避雷导线,避雷针 semi conductor n. 半导体 bus conductor 公共汽车售票员 non conductor n. 非导体,绝缘体 two conductor 双导体 翻译推荐 含金属的 metallic 金属屑 sweepings 金属氢 hydrogeniu 金属灰 calx 敷金属 metallisat 茂金属 metal...
对部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管进行了电离辐射环境下的常规可靠性研究.通过试验对比,定性地分析了氧化物陷阱电荷和界面态对器件敏感参数的影响,得出了氧化物陷阱电荷和界面态随着时间参数的变化,在不同阶段对器件参数的影响.结果表明,总剂量效应与电应力的共同作用将加剧器件敏感参数的退化,二者...
aElectronic device such as rectifier, and FET e.g. high electron mobility transistor (HEMT) or metal insulator semiconductor (MIS) transistor. 电子设备例如整流器和FET即。 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 或金属绝缘体半导体 (MIS) 晶体管。[translate]...
aMethod for fabricating an electronic device (claimed) such as rectifier or FET e.g. High Electron Mobility Transistor or Metal-Insulator-Semiconductor FET. 方法为制造一个电子设备 (被要求) 例如整流器或FET即。 高电子迁移率晶体管或金属绝缘体半导体FET。[translate]...
专利名称:金属-绝缘体-半导体场效应晶体管的制作方法 技术领域: 本发明涉及利用化合物半导体层形成的金属-绝缘体-半导体场效应晶体管(MISFET),特别是涉及适用于高耐压、大电流使用的MISFET。 图12是显示使用了现有碳化硅的n沟型MOS(Metal oxidesemiconductor)-FET(场效应晶体管)概略结构的剖面图。如图所示、在掺杂浓度...
金属-绝缘体-半导体场效应晶体管1. The selective etching solution is applied to the fabrication of undoped-GaAs/n-GaAs modulation-doped channel MISFET. 利用这种选择腐蚀技术制备了undoped-GaAs/n-GaAs调制掺杂沟道金属-绝缘体-半导体场效应晶体管,获得了很好的器件特性参数,证明了这种腐蚀溶液适合于器件制备中...