金属与硅生成的化合物。 常分成两大类:(1)难熔金属硅化物,指周期表IVB、VB、VIB族元素的硅化物,如硅化钛、硅化锆、硅化钽、硅化钨等;(2)贵金属和近贵金属硅化物,如硅化钯、硅化铂、硅化钴等。其共同特点是:熔点高(大都在1500℃以上),最低共熔温度高(大都在1000℃以上)。电阻率低(约为10-7Ω·m)...
1. 物理性质:金属硅化物为块状、粉末状或薄膜状,颜色多为灰黑色或银白色。具有高熔点、高硬度、高密度等特点。 2. 化学性质:金属硅化物对酸碱有较强的稳定性,但在氧气和水分的作用下容易氧化和水解。 3. 电学性质:金属硅化物具有良好的导电性和电阻率,可用于制备电子器件中的导体、接触材料等。 4. 光学性质...
Salicide技术是在标准CMOS工艺技术基础上增加硅金属化的相关工艺步骤,形成Salicide的基本工艺步骤是首先利用物理气相淀积在多晶硅栅和有源区上淀积一层金属。然后进行两次快速热退火处理(RTA)以及一次选择性湿法刻蚀处理,最终在多晶硅表面和有源区表面形成金属硅化物,包括TiSi2,CoSi2和NiPtSi等薄膜(引用自参考文献2)。对...
金属硅化物处理是将含硅物质沉积在金属表面,随后在高温下经过几个小时的处理,使含硅物质与金属表面发生化学反应,形成一种坚硬、耐磨损、耐腐蚀的表面保护层的一种处理方法。 二、常见金属材料 1.钼(Mo) 钼是一种稀有金属,具有高熔点、高强度、良好的导电性能和化学稳定性等特点...
随着集成电路工艺制程技术的不断发展,为了提高集成电路的集成度,同时提升器件的工作速度和降低它的功耗,半导体工艺的特征尺寸不断缩小,晶体管的栅、源和漏有源区的尺寸也会相应缩小,而它们的等效串联电阻会相应变大,从而影响电路的速度。为了改善等效串联电阻,半导体业界先后发展出金属硅化物工艺技术Polycide和Salicide。
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金属与硅生成的化合物。 常分成两大类:(1)难熔金属硅化物,指周期表IVB、VB、VIB族元素的硅化物,如硅化钛、硅化锆、硅化钽、硅化钨等;(2)贵金属和近贵金属硅化物,如硅化钯、硅化铂、硅化钴等。其共同特点是:熔点高(大都在1500℃以上),最低共熔温度高(大都在1000℃以上)。电阻率低(约为10-7Ω·m)...
金属硅化物既可以是金属与硅的简单化合物,也可以是复杂的金属硅酸盐。它们具有独特的物理、化学和结构特性,使得金属硅化物在众多领域具有广泛的应用前景。 二、金属硅化物的发展历程 金属硅化物的发展历程可以追溯到几个阶段: 1.早期阶段:在古代,人们就开始使用硅元素和金属元素制作陶瓷、玻璃等日常用品。然而,...
此外,金属硅化物还常被用于芯片加工过程中的腐蚀抑制材料。在芯片制造过程中,制造过程会针对特定区域进行腐蚀操作。而由于金属硅化物具有较高的耐蚀性,因此可以在芯片的制造过程中起到抑制腐蚀的作用。 三、结语 因此,金属硅化物是芯片制造过程中常用的材料,在电极材料的制造和...