首先三者都是金属硅化物,金属硅化物技术是为了降低接触电阻,减小RC延时。从成分上来看,三者没有太大区别,但polycide的生成位置不同,以下具体为三者的概念介绍: Silicide:金属硅化物,由金属和硅经过化学反应形成的一种金属化合物,导电性介于金属和硅之间。 Salicide:(Self Aligned Silicide)自对准金属硅化物,本质就...
具体来说，Silicide是由金属和硅经过化学反应形成的金属化合物，其导电性介于金属和硅之间；而Salicide，即自对准金属硅化物，本质上与Silicide相同。至于Polycide，它同样是一种金属硅化物，但仅在多晶硅栅上生成，源和漏有源区则不存在。SAB，即自对准硅化物阻挡层，旨在防止特定区域生长salicide。通过阻断Si和NiPt...
1. 物理性质:金属硅化物为块状、粉末状或薄膜状,颜色多为灰黑色或银白色。具有高熔点、高硬度、高密度等特点。 2. 化学性质:金属硅化物对酸碱有较强的稳定性,但在氧气和水分的作用下容易氧化和水解。 3. 电学性质:金属硅化物具有良好的导电性和电阻率,可用于制备电子器件中的导体、接触材料等。 4. 光学性质...
此外,金属硅化物还常被用于芯片加工过程中的腐蚀抑制材料。在芯片制造过程中,制造过程会针对特定区域进行腐蚀操作。而由于金属硅化物具有较高的耐蚀性,因此可以在芯片的制造过程中起到抑制腐蚀的作用。 三、结语 因此,金属硅化物是芯片制造过程中常用的材料,在电极材料的制造和...
金属硅化物通常指金属元素与硅结合形成的化合物,例如硅化钠、硅化镁、硅化铁等。它们与碱(如氢氧化钠、氢氧化钾)接触时,可能发生剧烈或缓慢的化学反应,具体表现因物质种类和反应条件而异。 硅化钠与强碱的反应较为典型。比如硅化钠(Na₂Si)与氢氧化钠溶液接触时,会发生水解反应。硅化钠中的硅与钠的结合...
拓材科技官方咨询 金属硅化物是过渡金属与硅生成的硬质化合物,化学成分稳定,具有好的抗氧化性,多在超大规模集成电路中使用,如用作金属栅、肖特基接触、欧姆接触等。它分成两大类:难熔金属硅化物和贵金属及近贵金属硅化物,共同特点是熔点高、电阻率低、硬度高。
Salicide技术是在标准CMOS工艺技术基础上增加硅金属化的相关工艺步骤,形成Salicide的基本工艺步骤是首先利用物理气相淀积在多晶硅栅和有源区上淀积一层金属。然后进行两次快速热退火处理(RTA)以及一次选择性湿法刻蚀处理,最终在多晶硅表面和有源区表面形成金属硅化物,包括TiSi2,CoSi2和NiPtSi等薄膜(引用自参考文献2)。对...
金属与硅生成的化合物。 常分成两大类:(1)难熔金属硅化物,指周期表IVB、VB、VIB族元素的硅化物,如硅化钛、硅化锆、硅化钽、硅化钨等;(2)贵金属和近贵金属硅化物,如硅化钯、硅化铂、硅化钴等。其共同特点是:熔点高(大都在1500℃以上),最低共熔温度高(大都在1000℃以上)。电阻率低(约为10-7Ω·m)...
金属硅化物处理是将含硅物质沉积在金属表面,随后在高温下经过几个小时的处理,使含硅物质与金属表面发生化学反应,形成一种坚硬、耐磨损、耐腐蚀的表面保护层的一种处理方法。 二、常见金属材料 1.钼(Mo) 钼是一种稀有金属,具有高熔点、高强度、良好的导电性能和化学稳定性等特点...
第九讲:金属硅化物技术 金属硅化物技术 一. 金属硅化物技术 二. Polycide 工艺技术 三. Salicide 工艺技术 四. Salicide 工艺温度相位图 五. Ti-Salicide 工艺互扩散 六. Co-Salicide 和 Ni-Salicide 工艺互扩散 七. Salicde 工艺面临的问题 八. SAB 工艺 九. SAB 和 Salicide 工艺的工艺流程 p2 金属...