金属硅化物技术是一种用于制备金属硅化物的技术方法，它通过将金属原料与硅元素进行反应，生成金属硅化物化合物。金属硅化物技术广泛应用于各个领域，包括材料科学、化学工程、电子学、能源等。金属硅化物技术具有许多优势和特点。首先，金属硅化物具有良好的化学稳定性和热稳定性，能够抵抗高温和腐蚀。其次，金属硅...
最先出现的金属硅化物工艺技术是Polycide工艺技术,Polycide工艺技术是为了改善多晶硅栅的等效串联电阻和接触孔的接触电阻,Polycide工艺技术仅仅在多晶硅栅上形成金属硅化物,源和漏有源区不会形成金属硅化物,所以它没有办法改善晶体管源和漏有源区的等效串联电阻和接触孔的接触电阻。为了改善晶体管源和漏有源区的等效...
通过精确控制SAB的刻蚀过程,可以确保OTP等器件具有良好的数据保持能力。 此外,SAB技术还可以用于制造高性能的CMOS器件。在CMOS器件中,SAB技术可以用于制造源漏极电阻低、电流密度大的MOSFET器件。通过在源漏极区域形成金属硅化物,可以降低源漏极电阻,提高器...
日前,合肥新晶集成电路有限公司成功获得了一项关键专利,名称为“金属硅化物层以及半导体结构的制备方法”,该专利于2022年8月申请,并于2024年11月13日获得国家知识产权局的正式授权。这项技术的获得不仅标志着中国在半导体材料领域的进一步突破,也为未来的智能设备及相关应用奠定了更为坚实的基础。合肥新晶团队对此表示,...
最先出现的金属硅化物工艺技术是Polycide工艺技术，Polycide工艺技术是为了改 善多晶硅栅的等效串联电阻和接触孔的接触电阻，Polycide工艺技术仅仅在多晶硅栅上 形成金属硅化物，源和漏有源区不会形成金属硅化物，所以它没有办法改善晶体管源和漏有源区的等效串联电阻和接触孔的接触电阻。为了改善晶体管源和漏有源...
2024年11月13日消息,合肥新晶集成电路有限公司近日获得了一项重要专利,名为“金属硅化物层以及半导体结构的制备方法”。该专利于2022年8月申请,并已获得官方授权。这一技术的突破可能将对半导体产业的未来发展产生深远影响。 金属硅化物层技术在半导体制造过程中扮演着至关重要的角色。它不仅能够提升芯片的性能,还能降...
0.5μm CMOS金属硅化物工艺技术研究 摘要: 金属硅化物广泛用于微电子器件中的源、漏、栅极与金属电极间的接触, 是制备纳米集成电路的关键材料之一。本文对不同硅化物薄膜的特性进行了分析并对适用于0.5微米CMOS 器件的各种自对准硅化物工艺进行了讨论。
金属硅化物的产生与形成 难熔金属与硅在一起发生反应,熔合时形成硅化物。硅化物是一种具有热稳定性的金属化合物,并且在硅/难熔金属的分界面具有低的电阻率。EL5374IUZ在硅片制造业中,难熔金属硅化物是非常重要的,因为为了提高芯片性能,需要减小许多源漏和栅区硅接触的电阻。在铝互连工艺技术中,钛和钴是用于...
自我对准金属硅化物工艺 不过虽然多晶硅在过去的二十多年里已成为制造ⅣR)SFET栅极的标准,但也有OB3302CPA若干缺点使得工业界在先进CMOS器件产品中使用高介电常数的介质和金属栅极(High虑Metal Gate,HKMG),这些缺点如下:多晶硅导电性不如金属,限制了信号传递的速度。虽然可以利用掺杂的方式改善其导电性,但效果仍然...