金属半导体异质结是指由金属和半导体两种材料结合而成的异质结,其中金属和半导体具有不同的导电性质。金属是导体材料,具有高导电性能,而半导体在本质状态下是一种绝缘体材料,但如果加入少量杂质则可以使其成为导体。由于金属和半导体的不同导电性质,因此在其结合处...
第3章 金属半导体与异质结 第三章金属半导体与半导体异质结 3.1肖特基势垒二极管1.性质上的特征 金属元素的功函数和半导体的亲和能 元素Ag,银Al，铝Au，金Cr，铬Mo，钼Ni，镍Pd，钯Pt，铂Ti，钛W，钨 功函数，4.264.285.14.54.65.155.125.654.334.55 半导体GeSiGaAsAlAsGaNZnO3C-SiC6H-SiC4H-SiCC 亲...
1、第三章第三章 金属半导体与半导体异质结金属半导体与半导体异质结 3.1 肖特基势垒二极管 1. 性质上的特征 金属元素的功函数和半导体的亲和能 元素 功函数, Ag, 银4.26 Al,铝4.28 Au,金5.1 Cr,铬4.5 Mo,钼4.6 Ni,镍5.15 Pd,钯5.12 Pt,铂5.65 Ti,钛4.33 W,钨4.55 半导体 亲和能 Ge4.13 Si4.01 GaAs4....
金属半导体和半导体异质结 金属半导体接触肖特基二极管欧姆接触半导体异质结 半导体物理与器件 §9.1肖特基势垒二极管肖特基二极管是由金属-半导体整流接触形成的二极管，一般情况下，整流接触发生在n型半导体中，我们将主要讨论金属和n型半导体形成的整流接触。半导体物理与器件 能带图 Φ:功函数，单位为...
1.一种制备过渡金属硫化物的金属与半导体异质结结构的方法,其特征在于: 所述方法在石英管中进行,石英管分为区域1和2,分别是CVD的高温区和低温区,所述步骤包括: (1)、首先,采用传统制备方法制备二硫化坞单层结构,得到以单抛石英片为基底的三角形的单层WS<Sub>2</Sub>晶体; ...
内容提示: 学校代号 10532 学号 B1407S0156分 类号密级公 开博士学位论文二维半导体与金属异质结界面肖特基势垒调控的第一性原理研究学位申请人姓名 刘 标培 养单位 物理与微电子科学学院导师姓名及职称 蔡孟秋 教授学 科专业物理 学研 究方向 二维异质结第一性原理研究论 文提交日期 2017 年 5 月 11 日 ...
一种制备过渡金属硫化物的金属与半导体异质结结构的方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种制备过渡金属硫化物的金属与半导体异质结结构的方法说明:本发明属于材料制备技术领域,特别涉及基于过渡金属硫化物的金属与半导体异质结的制备方法。本发明通...专利查询请上爱
(p型半导体-金属-n型半导体)欧姆异质结,用以探索可行的实现高效电荷分离的方法.第一性原理计算表明,体系的费米能级通过金属Pt的介导作用对齐,这促使Cu2S中的空穴和W03中的电子的复合,从而维持了 Cu2S的电子和W03的空穴的高效分离.重要的是,能带的弯曲和电荷极化的产生将低能电荷选择性地导向中间金属,并使高能电荷...
采用第一性原理方法研究了二硫化钨/石墨烯异质结的界面结合作用以及电子性质,结果表明在二硫化钨/石墨烯异质结中,其界面相互作用是微弱的范德瓦耳斯力.能带计算结果显... 郭丽娟,胡吉松,马新国,... - 《物理学报》 被引量: 0发表: 2019年 不同相NbS_(2)与GeS_(2)构成的二维金属-半导体异质结的电接触性质...
1.3 二维异质结 1.4 半导体与金属异质结界面肖特基势垒 1.5 本论文研究工作的意义、目的和内容 第2章 理论基础和计算方法 2.1 绝热近似 2.2 哈特利-福克近似 2.3 Hohenberg-Kohn定理 2.4 Kohn-Sham方程 2.5 交换关联泛函 2.6 杂化泛函HSE06 2.7 vdW修正 ...