第4章 金属-半导体结 半导体器件物理 第四章金属-半导体结 引言 金属-半导体形成的冶金学接触叫做金属-半导体结（M-S结）或金属-半导体接触。把须状的金属触针压在半导体晶体上或者在高真空下向半导体表面上蒸镀大面积金属薄膜都可以实现金属-半导体结，前者称点接触，后者则相对叫做面接触。金属-半导体...
第4章金属-半导体结 1 引言 金属—半导体形成的冶金学接触叫做金属-半导体结（M-S结）或金属-半导体接触。把须状的金属触针压在半导体晶体上或者在高真空下向半导体表面上蒸镀大面积的金属薄膜都可以实现金属-半导体结，前者称为点接触，后者则相对地叫做面接触。金属-半导体接触出现两个最重要的效应：其一...
第四章金属-半导体结 PhysicsofSemiconductorDevices 前言 金属－半导体结由金属和半导体接触形成的。金属－半导体接触出现两个最重要的效应：整流效应和欧姆效应，若二者有整流作用，则叫整流接触，反之，叫欧姆接触。这是由于金属与半导体相接触时在半导体表面形成一个“表面势垒”这种因金属－半导体接触引起的表面势垒，...
第二讲金属-半导体结概述
金属半导体结 金属半导体结 4.1肖特基势垒 4.2表面态对势垒高度的影响4.3镜像力对势垒高度的影响 4.4肖特基势垒二极管 1 4.1肖特基势垒 金属和半导体接触：金属和半导体接触形成的结称为金属—半导体结 整流效应：高阻、单向导电——整流结欧姆效应：低阻、欧姆特性——欧姆结 金属与N型半导体金属与P型半导体 Wm...
第四章第四章 金属半导体结金属半导体结一 名词 概念 术语 问题n整流接触(整流结) 欧姆接触(非整流结)n肖特基势垒高度:金属半导体结从金属到半导体的势垒。n肖特基效应:镜象力使势垒降低的效应。n画出金属和N型半导体在形成理想接触前后的能带图并说明肖特基势垒的形成。n解: 图(图4.1)为金属和 型半导体在形成接...
PN结电击穿类型:___、___、___。金属-半导体结由金属和半导体形成的结称为金属-半导体结,又称为金属-半导体接触突变结P型区和N型区之间的杂质分布变化陡峭的PN结线性缓变结P型区和N型区之间的杂质分布变化比较缓慢,可看成是线性变化的PN结.单边突变结PN结一侧的掺杂浓度比另一侧的高得多,表示为P+N或PN+...
第四章金属-半导体结 4-1.一硅肖脱基势垒二极管有0.01 cm 的接触面积,半导体中施主浓度为10 cm 。设, 。计算〔a〕耗尽层厚度,〔b〕势垒电容,〔c〕在外表处的电场 解:〔a〕耗尽层厚度为 (b)势垒电容为 (c) ( 在,则上式为 外表处电场,即时, 4-2.〔a〕从示于图4-3的GaAs肖脱基二极管电容-电压曲线...
金属-半导体的欧姆接触特性 非均匀掺杂pn结的特性 pn结的常规制备技术 1.pn结的基本结构 整个半导体材料时一块单晶半导体,其中掺入受主杂质原子的形成p区,相邻的另一区掺入施主杂质原子形成n区。分割pn区的界面为冶金结。 突边结:每个区杂质浓度均匀,杂质浓度在界面处发生突变。
1、1 金属半导体结 4.1肖特基势垒 4.2表面态对势垒高度的影响 4.3镜像力对势垒高度的影响 4.4肖特基势垒二极管 2 4.1 肖特基势垒 金属和半导体接触: 金属和半导体接触形成的结称为金属半导体结 整流效应:高阻、单向导电整流结 欧姆效应:低阻、欧姆特性欧姆结 金属与N型半导体 金属与P型半导体 WmWS 整流效应 欧姆效应...