低电压、低 Rs Si Hyperabrupt MACOM 的 MA4ST200 系列是采用 SOT-23、SC70 3LD 和 SOD-323 表面贴装封装的离子注入超突变结硅调谐变容二极管。该系列变容二极管专为高 Q 值和低电压运行而设计。每种变容二极管类型在 -2 V 时的 Q 大于 400。这些二极管提供标准 Sn/Pb 电镀,以及我们符合 RoHS 标准的...
砷化镓超突变结变容二极管特点GMV7811 , GMV7821GMV9801 , GMV9821 ,,51电子网为您提GMV9801供应商信息,GMV9801PDF资料信息,采购GMV9801,就上51电子网。
该SMV1770-079是硅超突变结变容二极管 二极管专为电池供电的设计。指定 高电容率和低R S 这些变容二极管使他们 适合于无线频率使用低噪声压控振荡器 系统超越2.5 GHz的。应用包括低噪声 和宽带UHF和VHF的VCO用于GSM ,PCS, CDMA和 模拟电话。 性能保证仅在在规格表中列出的条件,是 下的绝对最大规格所述的全范...
值 翁寿松毛立平 (无锡市无线电元件四厂,无锡 214061 ) 摘要讨论了国产和进口超突变结变容二极管的杂质浓度分布和 7 值,提出了提高国产超突变结变容二极 管性能的措施。 关键词超突变结变容二极管杂质浓度分布 7 值 中图分类号: TN312 + .1 文献标识码: A 文章编号: 1003-353X ( 2000 ) 1-31-02 Di...
讨论了国产和进口超突变结构容二极要质浓度分布和n值,提出了提高国产超突变结变容二极管性能的措施。 翁寿松,毛立平 - 《半导体技术》 被引量: 5发表: 2000年 超突变结变容二极管的杂质浓度分布及n值 讨论了国产和进口超突变结变容二极管的杂质浓度分布和n值. 翁寿松,毛立平 - 《半导体技术》 被引量: 0发表...
摘要:根据超突变结变容二极管设计和工艺特点,报道了利用SILVACO公司工艺模拟软件 Athena、器件模拟软件Atlas等完成超突变结变容二极管的几何结构、浓度分布、工艺参数、电学 参数等的设计,根据设计参数通过某型号si超突变结变容二极管生产情况验证设计参数和电参 ...
该半导体器件还可以包括耦合到超突变结区域的第一接触件以及耦合到基板的第二接触件以限定变容二极管(varactor)。 更特别地,超突变结还可以包括稍后在超晶格上方或下方的本征半导体层。第一、第二和本征半导体层以及超晶格层可以平行于基板的底层部分。半导体器件还可以包括在基板和超突变结区域之间的中间半导体层,并且...
耦合到超突变结区域的第一接触件和耦合到基板的第二接触件以限定变容二极管。 2.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述超突变结区域还包括在所述超晶格层上方的本征半导体层。 3.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述超突变结区域还包括在所述超晶格层下方的本征半导体层。 4.如权利要求1所述的半导体器件,其...
突变结二极管 4) junction varactor 结变容二极管 例句>> 5) graded junction varactor 缓变结变容二极管 6) supercapister[,sju:pə'kæpistə] 超阶跃变容二极管 补充资料:超突 1.跳跃奔突。 说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
超突变结变突二级管的杂质浓度分布及n值 讨论了国产和进口超突变结构容二极要质浓度分布和n值,提出了提高国产超突变结变容二极管性能的措施。 翁寿松,毛立平 - 《半导体技术》 被引量: 5发表: 2000年 超突变结变容管的设计模型 通过建立一种超突变结变容二极管的杂质浓度分布模型,并基于求解一维泊松方程,雪崩...