低电压、低 Rs Si Hyperabrupt MACOM 的 MA4ST200 系列是采用 SOT-23、SC70 3LD 和 SOD-323 表面贴装封装的离子注入超突变结硅调谐变容二极管。该系列变容二极管专为高 Q 值和低电压运行而设计。每种变容二极管类型在 -2 V 时的 Q 大于 400。这些二极管提供标准 Sn/Pb 电镀,以及我们符合 RoHS 标准的...
砷化镓超突变结变容二极管特点GMV7811 , GMV7821GMV9801 , GMV9821 ,,51电子网为您提GMV7811-000供应商信息,GMV7811-000PDF资料信息,采购GMV7811-000,就上51电子网。
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值 翁寿松毛立平 (无锡市无线电元件四厂,无锡 214061 ) 摘要讨论了国产和进口超突变结变容二极管的杂质浓度分布和 7 值,提出了提高国产超突变结变容二极 管性能的措施。 关键词超突变结变容二极管杂质浓度分布 7 值 中图分类号: TN312 + .1 文献标识码: A 文章编号: 1003-353X ( 2000 ) 1-31-02 Di...
讨论了国产和进口超突变结构容二极要质浓度分布和n值,提出了提高国产超突变结变容二极管性能的措施。 翁寿松,毛立平 - 《半导体技术》 被引量: 5发表: 2000年 超突变结变容二极管的杂质浓度分布及n值 讨论了国产和进口超突变结变容二极管的杂质浓度分布和n值. 翁寿松,毛立平 - 《半导体技术》 被引量: 0发表...
pn结附近的重掺杂区的情况,这样超突变结变容 二极管族就有了无限多种不同的C—V曲线。一个 确定的C.V曲线、击穿电压、Q值等参数的变容 二极管就有了唯一确定的浓度分布曲线,为实现这 个确定的浓度分布,须精确计算外延层、衰减区、 衬底反扩散区等浓度和厚度以及其在高温工艺中的 ...
该半导体器件还可以包括耦合到超突变结区域的第一接触件以及耦合到基板的第二接触件以限定变容二极管(varactor)。 更特别地,超突变结还可以包括稍后在超晶格上方或下方的本征半导体层。第一、第二和本征半导体层以及超晶格层可以平行于基板的底层部分。半导体器件还可以包括在基板和超突变结区域之间的中间半导体层,并且...
沪江词库精选超突变结变容二极管英语怎么说、英语单词怎么写、例句等信息 hyperabrupt junction varactor 翻译推荐 超突颌型 hyperprogn 超突变性 hypermutab 超活力突变 supervital 超突变结 hyperabrup 胸廓局部突超 local 超活力突变型 supervital 超突变剖面图 hyperabrup 超 exceed 超比 ...
耦合到超突变结区域的第一接触件和耦合到基板的第二接触件以限定变容二极管。 2.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述超突变结区域还包括在所述超晶格层上方的本征半导体层。 3.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述超突变结区域还包括在所述超晶格层下方的本征半导体层。 4.如权利要求1所述的半导体器件,其...
突变结二极管 4) junction varactor 结变容二极管 例句>> 5) graded junction varactor 缓变结变容二极管 6) supercapister[,sju:pə'kæpistə] 超阶跃变容二极管 补充资料:超突 1.跳跃奔突。 说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。