负性光刻胶和正性光刻胶的主要区别体现在它们的光化学反应和最终形成的图案上。简单来说: 负性光刻胶在光照射到的地方会发生聚合反应,使得这部分在显影液中不溶解,而未曝光部分可被溶解,形成与掩膜版相反图形的光刻胶图案;而正性光刻胶则是在光照射不到的地方留下图形,曝光部分会发生化学变化,在显影液中可...
正性光刻中的显影方式是通过将光刻胶暴露于特殊的液体中,使其未暴露部分的胶层被溶解掉。而负性光刻使用的是更严格的显影要求,需要使用更为强力的显影剂,以消除暴露区域中交联的光刻胶并移除未暴露区域之外的任何光刻胶。 五、局限性 正性光刻胶的分辨率有限,无法满足高密度电路板...
安集科技两种基本工艺的主要区别是选用光刻胶的种类不同。