金融界2025年4月22日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司取得一项名为“静态随机存取存储器的读取静态噪声容限测量方法、计算设备和存储介质”的专利，授权公告号 CN119339776B，申请日期为2024年12月。天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和
一种提高读噪声容限和写裕度的亚阈值SRAM存储单元电路,属于集成电路技术领域。本发明的电路中第一PMOS管MP1、第一NMOS管MN1、第三NMOS管MN3和第三PMOS管MP3构成第一反相器,第二PMOS管MP2、第二NMOS管MN2、第四NMOS管MN4和第四PMOS管MP4构成第二反相器,用于存储相反的数据,即存储点Q和存储点QB的数据;第七NMO...
摘要:本发明公开了一种同时提高读噪声容限和写裕度的新型12管SRAM单元电路,该电路可以消除半选问题,同时解决读半选问题和写半选问题,不会带来稳定性问题,同时没有额外的功耗消耗,实验测得当列译码单元(CMUX)为4时,总数为128的阵列的读动态功耗和写动态功耗分别比传统6T单元下降81.3%和88.2%;同时,该电路大幅提高...
摘要 本发明公开了一种同时提高读噪声容限和写裕度的新型12管SRAM单元电路,该电路可以消除半选问题,同时解决读半选问题和写半选问题,不会带来稳定性问题,同时没有额外的功耗消耗,实验测得当列译码单元(CMUX)为4时,总数为128的阵列的读动态功耗和写动态功耗分别比传统6T单元下降81.3%和88.2%;同时,该电路大幅提高...
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(72)发明人 贺雅娟;吴晓清;张九柏;衣溪琳;钱亦端;裴浩然;张波 (74)专利代理机构 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 代理人 葛启函 (51)Int.CI 权利要求说明书 说明书 幅图 (54)发明名称 一种具有高读噪声容限的 SRAM 存储单元电路 (57)摘要 一种具有高读噪声容限的 SRAM 存储单元 电路,属于集成电路技术...
输入高电平的噪声容限为: 前一级反相器的VOH要大于后一级的VIH(min) 前一级反相器的VOL要小于后一级的VIL(max) 输入低电平的噪声容限为: 为保证下一级电路接收到高电平,前一级电路VOH允许的噪声范围 为保证下一级电路接收到低电平,前一级电路VOL允许的噪声范围 两反相器串联 在输出信号的变化不大于10%VDD...
噪声容限 1. Two new circuit techniques to suppress leakage currents and enhancenoise immunitywhile decreasing the active power are proposed. 提出了两种新的电路技术,在降低多输入多米诺“或门”的动态功耗的同时减小了漏电流,并提高了电路的噪声容限。
背景噪声容限2) background noise 背景噪声 1. Study on the background noise of CCD in biochip scanner; 生物芯片扫描仪CCD背景噪声研究 2. Analysis of stellar background noise and study of restraining methods in satellite optical communication; 卫星光通信中恒星背景噪声分析及抑制方法研究 3. An ...
噪声容限 1. Two new circuit techniques to suppress leakage currents and enhancenoise immunitywhile decreasing the active power are proposed. 提出了两种新的电路技术,在降低多输入多米诺“或门”的动态功耗的同时减小了漏电流,并提高了电路的噪声容限。