Product latch-up immunity is characterized by an I/O current injection value and Vsupply overvoltage value that does not result in a latch-up as defined in this test method.Refer to Table 1 for the recommended range of current and voltage stress, and Table 2 footnotes b, c, and d for ...
如果没有发生Latch-up,将所有输入管脚,都置于低电平偏置,重复实验。 重复2,3,直到每个电源Vsupply管脚(或管脚组合)都通过测试。图一.V-test激励波形。V-test测试模拟的是电源浪涌是否会造成PN结击穿,形成雪崩击穿电流,从而造成寄生SCR的开启。 2.2 I-test的测试流程 ...
首先，消费级IC芯片的LatchUp测试主要依据标准JESD78进行测试，当然，会有专门的仪器设备进行测试，通常IC芯片出来之后，会委托第三方实验室进行LatchUp测试，（第三方实验室可以出一个测试报告，这样客户的认可度会比较高，而且设备仪器不用购买以及维护）。那么详细的测试条件和测试步骤分别是什么呢？首先，是环境温度，...
Latch-up 是指在 CMOS 集成电路中，由于某些原因导致的寄生四层器件的触发，形成一个低阻的电流通路，使得电路出现大电流的自持状态。Latch-up 可能会导致 IC 芯片的临时性或永久性损坏，因此进行 latch-up 测试是非常重要的。Latch-up 测试的目的是检查芯片在高电流注入的情况下是否会出现 latch-up 现象。通常，...
什么是闩锁测试 所谓的闩锁效应Latch-up,是指瞬间电流被锁定或者放大,而造成芯片在电源与对地之间造成短路,而因为大电流损伤芯片。由于目前半导体电路设计密度越来越高,电压或电流的瞬间变化对于芯片的损伤也越趋严重。此外,目前半导体业界部分认为客退品中经常出现的EOS (Electrical Over Stress) 问题与闩锁测试有相当程...
Latch-up测试是集成电路设计中的一个重要环节，本文主要介绍测试流程以及防护设计。在测试流程方面，标准JESD78E将测试分为两种：电流测试（I-test）和电压测试（V-test）。I-test又包括正向注入和负向抽取，分别模拟非电源管脚在浪涌电压作用下是否会产生寄生三极管的开启。V-test则模拟电源浪涌是否造成...
* Latch-up 闩锁效应, 又称寄生PNPN效应或可控硅整流器 ( SCR, Silicon Controlled Rectifier ) 效应. 在整体硅的 CMOS 管下, 不同极性搀杂的区域间都会构成P-N结, 而两个靠近的反方向的P-N结就构成了一个双极型的晶体三极管. 因此CMOS管的下面会构成多个三极管, 这些三极管自身就可能构成一个电路. 这就是...
海思芯片ESDLatch-up测试技术规范V1.3 1.ESDLatchUp测试流程 1.1ESDLatchUp测试概要 ESDLatchUp主要用于测试芯片的ESDLatchUp的水平,需要项目SE、后端设计工 程师、封装工程师、可靠性测试工程师共同参与,主要工作包括:ESDLatchUp测试方案 确定、ESDLatchUp测试流程执行、测试结果分析及出现失效后的问题定位和解决方案的...
Latch-up产生机制 (i)输入或输出电压（I/O的信号）高于VDD电压，芯片产生大电流，导致latch-up;(ii)ESD静电加压，可能会从保护电路中引入少量带电载流子到阱或衬底中，导致latch-up 根据如上描述，可以看出Latch Up对于电路的风险是很大的，所以我们需要对芯片进行LU的验证。LU - Latch Up - 闩锁测试 表格中...
芯片版图中Latch_up的检查与避免 2958播放 Cadence 180nm 项目实践 8668播放 Cadence设计实例-bandgap设计-8.Bandgap电路仿真 3958播放 这个网站不仅可以5分钟内生成一份附带参考文献的文献综述 还可以对生成的文本进行改写总结 人工智能真是太强大了 6.0万播放 Shell编程 4小时快速上手 311播放 05...