SLM2110是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器,它提供独立的高边、低边输出驱动信号。采用专有的高压集成电路和锁存免疫CMOS技术,提供可靠的单芯片驱动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,以减小驱动器交叉导通。延时匹配很方便应用于高频
同时实现超快反向恢复时间和超低导通电阻的600V耐压超级结 MOSFET 全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS™”产品阵容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款机型，新产品非常适用于电动汽车充电桩、服务器、基站等需要大功率的工业设备的电源电路、以及空调等因节能趋势而采用...
6月13日,东芝宣布推出新的 600V 耐压 N 沟道功率 MOSFET"DTMOSVI 系列",采用最新一代工艺,具有超级结结构,适用于数据中心、开关电源和光伏电源调节器。新品"TK055U60Z1"是DTMOSVI系列中首款600V耐压产品。即日起开始发货。 通过优化栅极设计和工艺,耐压600V的DTMOSVI系列与现有一代同耐压DTMOSIV-H系列相比,单位...
https://www.rohm.com.cn/support/super-junction-mosfet＜关于PrestoMOS＞Presto意为“非常快”，源自意大利语的音乐术语，象征着ROHM PrestoMOS品牌功率MOSFET的高速性能。该品牌MOSFET不仅继承了Super Junction MOSFET的高耐压和低导通电阻优势，更通过缩短内置二极管反向恢复时间来降低开关损耗，特别适用于空调、冰箱等逆...
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)在其600V耐压Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS™”产品阵容中,又新增“R60xxRNx系列”3款新产品,非常适用于冰箱和换气扇等对低噪声特性要求很高的小型电机驱动。 有助于配备小型电机的设备减少抗噪声设计工时和部件数量,并降低功率损耗 ...
ROHM开发出采用SOT-223-3小型封装的600V耐压Super Junction MOSFET 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出采用SOT-223-3小型封装(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐压Super Junction MOSFET*1“R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4”，新产品非常适用于照明用小型...
同时实现业界超快反向恢复时间和业界超低导通电阻,可进一步降低工业设备和白色家电的损耗 ROHM的600V耐压Super Junction MOSFET PrestoMOS 产品阵容中又新增了 “R60xxVNx系列” (含7款机型)。 此外,高速开关型600V耐压Super Junction MOSFET产品阵容中也新增了导通电阻
参数信息 品牌 无品牌/无注册商标 图文详情 本店推荐 DMP10H400SK3-13 场效应管(MOSFET) 1个P沟道 耐压:100V 电流:9A ¥2.77 KSC442J70SHLFS 轻触开关 6.2*6.2*2.3mm 立贴 轻触开关 SMD ¥4.18 TMP100AQDBVRQ1 温度传感器 TMP100AQDBVRQ1 SOT-23-6 ¥21.6 STH240N10F7-6 场效应管(MOSFET) 1...
瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ(栅源间电压为10V时的标称值)的600V耐压超结(SJ:Super Junction)型功率MOSFET“RJL60S5系列”,将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下,降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。虽然其他竞争公司已经推出了采用这种构造的功率MOSFET,但据瑞萨电子介绍,“RJL60...
东芝于2013年4月3日开始销售单位面积的导通电阻比该公司原产品减小了30%的600V耐压超结型功率MOSFET“DTMOSIV”。东芝称,“这款产品实现了业界最低的单位面积导通电阻”。这是通过在制造技术中应用单一外延工艺实现的。而且,还利用此次的制造技术提高了寄生二极管的恢复速度,将反向恢复时间缩短至该公司原产品的1/3。