未来InGaAs光电探测器发展会集中在以下两个方面:(1)在Si衬底上直接生长InGaAs外延层,目前市场微电子器件大部分都是Si基,后续InGaAs与Si基的集成发展是大势所趋,解决晶格失配、热膨胀系数差异等问题,对于研究InGaAs/Si至关重要;(2)1550 nm波长技术已经成熟,延伸波长(2.0～2.5) μm是未来的研究方向,随着In 组分的增...
激光雷达是激光探测及测距系统的简称,它可以发射定位激光束,通过测定传感器、发射器与目标物体之间的传播距离来定位目标物体的位置,并呈现目标物体的三维结构信息。InGaAs是一种典型的III-V族半导体材料,它在(0.35～1.42) eV范围内可调的禁带宽度使其在(0.9～1.7) μm波段具有广泛的应用,被认为是1550 nm激光雷达探测...
得益于APD的内部光电流增益、快速响应、紧凑尺寸、耐久性和低成本,APD光电探测器在探测率上可以比PIN光电探测器高一个数量级,所以目前主流激光雷达主要以雪崩光电探测器为主。 图2 (a)InGaAs MSM光电探测器结构;(b)InGaAs PIN光电探测器结构;(c)InGaAs雪崩光电探测器结构;(d)目标图片;(e)32×32像元APD图像 整...
未来InGaAs光电探测器发展会集中在以下两个方面:(1)在Si衬底上直接生长InGaAs外延层,目前市场微电子器件大部分都是Si基,后续InGaAs与Si基的集成发展是大势所趋,解决晶格失配、热膨胀系数差异等问题,对于研究InGaAs/Si至关重要;(2)1550 nm波长技术已经成熟,延伸波长(2.0～2.5) μm是未来的研究方向,随着In 组分的增...
激光雷达是激光探测及测距系统的简称,它可以发射定位激光束,通过测定传感器、发射器与目标物体之间的传播距离来定位目标物体的位置,并呈现目标物体的三维结构信息。InGaAs是一种典型的III-V族半导体材料,它在(0.35～1.42) eV范围内可调的禁带宽度使其在(0.9～1.7) μm波段具有广泛的应用,被认为是1550 nm激光雷达探测...