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用很低的掺杂 p^-区,所谓的结终端扩展(JTE) 结构,用平面结构也可达到体内击穿电压。表示在图4-20上的横向掺杂变化(VLD) 结构是JTE结构可能的种类之一,是Stengl和G·osele首先提出来的。p^-区内的掺杂向器件边缘递减并与P阳极层相连。 图4-20 具有横向递减掺杂的结终端结构(VLD) 这种结构是用这样的方法制造...
> 结终端扩展(JTE) 看开发 ADI MeasureWare——一种构 电化学水质分析演示平台 MEMS开关提高测试能力和系统生产力 ADI 公司:电池化成和测试能力在线座谈 主题:PIC®和AVR®单片机如何在常见应用中尽展所长 时间:2024.11.26 公司:DigiKey & Microchip 主题:高效能 • 小体积 • 新未来:电源设计的颠覆性...
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北京大学申请一种在GaN垂直结构pn二极管中实现JTE结终端的方法专利，可以有效削弱电场集聚效应提高器件耐压 金融界2024年2月19日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种在GaN垂直结构pn二极管中实现JTE结终端的方法“，公开号CN117558620A，申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本发明公开一种在GaN垂直...
1、微电子设计大赛采用JTE终端结构 VDMOS的ATLAS仿真和工艺流程内容第一部分:MOSFET介绍第二部分:VDMOS主要参数第三部分:VDMOS工艺流程第四部分:VDMOS仿真流程第一部分:MOSFET介绍 MOSFET:Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 即金属氧化物半导体场效应晶体管 MOSFET的分类:VDMOSP沟道增强型P沟道耗尽型N沟道增...
JTE终端碳化硅肖特基势垒二极管的设计与实验作者姓名李博导师姓名、职称吕红亮教授一级学科电子科学与技术二级学科微电子学与固体电子学申请学位类别工学硕士提交学位论文日期014年年11月月
微电子设计大赛采用JTE终端结构VDMOSATLAS仿真以及工艺流程.ppt,微电子设计大赛 采用JTE终端结构 VDMOS 的ATLAS仿真和工艺流程;内容;第一部分:MOSFET介绍; MOSFET的分类:; MOSFET主要工作原理(以N沟道增强型为例): 衬底材料为P型硅,源区和漏区均为N+区。在栅极电压为
终端技术 金秋10月,以“算启新程智享未来”为主题的2023中国移动全球合作伙伴大会于10月11-13日在广州保利世贸博览馆举办。小天才作为中国移动战略合作伙伴,受邀参加本次大会。依托于20余年在智能产品科技研发、精密制造、供应链管理、品质严控、海量用户大数据和持续消费者研究方面的深耕与积淀,更具国际化视野的小天才...
一种空间剂量调制JTE与场线环构成的混合节终端保护结构及其制备方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种空间剂量调制JTE与场线环构成的混合节终端保护结构及其制备方法说明:本发明公开了一种空间剂量调制JTE与场线环构成的混合节终端保护结构及其制备方法,所述保护结构包.