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用很低的掺杂 p^-区,所谓的结终端扩展(JTE) 结构,用平面结构也可达到体内击穿电压。表示在图4-20上的横向掺杂变化(VLD) 结构是JTE结构可能的种类之一,是Stengl和G·osele首先提出来的。p^-区内的掺杂向器件边缘递减并与P阳极层相连。 图4-20 具有横向递减掺杂的结终端结构(VLD) 这种结构是用这样的方法制造...
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北京大学申请一种在GaN垂直结构pn二极管中实现JTE结终端的方法专利，可以有效削弱电场集聚效应提高器件耐压 金融界2024年2月19日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种在GaN垂直结构pn二极管中实现JTE结终端的方法“，公开号CN117558620A，申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本发明公开一种在GaN垂直...
摘要: 为了提高芯片面积利用率,采用单区结终端扩展(JTE)与复合场板技术设计了一款700V VDMOS的终端结构.借助Sentaurus TCAD仿真软件,研究单区JTE注入剂量、JTE窗口长度和金属场板长度与击穿电压的关系,优化结构参数,改善表面和体内电场分布,提高器件的耐压.最终在120.4 μm的有效终端长度上实现了8... 查看全部>> ...
层之间形成的 PN 结承受电压,由于工艺限制,元胞区域只能设计为突变结,而终端区域最常用的结构为场限环,在原理上也相当于突变结耐压 . 结合结终端扩展( JunctionTerminationExten-sion,JTE )技术,引入缓变结耐压,设计了一款 900V 的终端结构,实现了 992.0V 的仿真击穿电压,终端效率达到了 98.6% ,而且有效终端长度...
用边界元素法模拟FP-JTE终端结构 提出了一种无须进行电离积分的用于高压结终端模拟的边界元素法,分析了界面电荷对FP JTE终端结构击穿电压的影响,结果表明击穿电压几乎与界面电荷浓度呈线性关系,场板... 武自录,罗晋生 - 《计算物理》 被引量: 0发表: 1999年 ...
一种900VJTE结构VDMOS终端设计消耗积分:1 | 格式:pdf | 大小:263KB | 2017-01-03 #Freedom 分享资料个 关注 一种900VJTE结构VDMOS终端设计_石存明 下载并关注上传者 开通VIP,低至0.08元下载/次 下载资料需要登录,并消耗一定积分。 声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅...
10 月16,华为在伦敦举行了华为Mate20 的海外发布会,并于 26 日正式开售新机,iphone XR也在 26 日发售。自从开售以来,就一直处于供不应求的状态,在开售时预定的手机,甚至要到
终端技术演变 金秋10月,以“算启新程智享未来”为主题的2023中国移动全球合作伙伴大会于10月11-13日在广州保利世贸博览馆举办。小天才作为中国移动战略合作伙伴,受邀参加本次大会。依托于20余年在智能产品科技研发、精密制造、供应链管理、品质严控、海量用户大数据和持续消费者研究方面的深耕与积淀,更具国际化视野的...