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用很低的掺杂 p^-区,所谓的结终端扩展(JTE) 结构,用平面结构也可达到体内击穿电压。表示在图4-20上的横向掺杂变化(VLD) 结构是JTE结构可能的种类之一,是Stengl和G·osele首先提出来的。p^-区内的掺杂向器件边缘递减并与P阳极层相连。 图4-20 具有横向递减掺杂的结终端结构(VLD) 这种结构是用这样的方法制造...
北京大学申请一种在GaN垂直结构pn二极管中实现JTE结终端的方法专利，可以有效削弱电场集聚效应提高器件耐压 金融界2024年2月19日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种在GaN垂直结构pn二极管中实现JTE结终端的方法“，公开号CN117558620A，申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本发明公开一种在GaN垂直...
微电子设计大赛采用JTE终端结构VDMOSATLAS仿真以及工艺流程.ppt,微电子设计大赛 采用JTE终端结构 VDMOS 的ATLAS仿真和工艺流程;内容;第一部分:MOSFET介绍; MOSFET的分类:; MOSFET主要工作原理(以N沟道增强型为例): 衬底材料为P型硅,源区和漏区均为N+区。在栅极电压为
1、微电子设计大赛采用JTE终端结构 VDMOS的ATLAS仿真和工艺流程内容第一部分:MOSFET介绍第二部分:VDMOS主要参数第三部分:VDMOS工艺流程第四部分:VDMOS仿真流程第一部分:MOSFET介绍 MOSFET:Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 即金属氧化物半导体场效应晶体管 MOSFET的分类:VDMOSP沟道增强型P沟道耗尽型N沟道增...
一种功率半导体器件终端结构 本发明属于半导体技术领域,涉及一种功率半导体器件终端结构.本发明的核心思想是将平面延伸的结终端扩展(JTE)型终端结构向体内折叠,充分利用体内漂移区厚度,从而缩小终端的横向面积.缓解了PN结终止端的电场集中,击穿点的位置从原来的PN结的终止端转移到了体... 任敏,张玉蒙,底聪,... 被引...
1.一种基于台面多区复合JTE终端结构的器件制作方法,其特征在于,包括: 步骤一、在晶圆片表面制作有源区,淀积第一氧化物层并进行图形化,形成台面区开孔; 步骤二、刻蚀所述第一氧化物层以及晶圆片材料,形成终端台面; 步骤三、在所述终端台面的表面淀积第二氧化物层并进行图形化,形成晶圆片材料凹槽开孔; 步骤四、刻...
1.一种JTE和掩埋FLR复合终端结构功率器件;自上而下依次层叠设置有P型区、外延层、衬底层和阴极,阳极设置在P型区;其特征在于;在外延层的上方设置有P+区和JTE,所述P+区与所述JTE的一端连接;所述JTE的厚度0.3um到1.5um;JTE设置有一个或多个沟槽,所述沟槽的深度小于JTE的厚度的2/3;沟槽的底部设置有宽度与沟...
一种900 V JTE结构VDMOS终端设计 石存明;冯全源;陈晓培 【期刊名称】《微电子学与计算机》 【年(卷),期】2016(33)4 【摘要】垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Vertical Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field Transistor,VDMOS)是由Pbody与外延层之间形成的PN结承受电压,由于工艺限制,元胞区域只能设计为...
层之间形成的 PN 结承受电压,由于工艺限制,元胞区域只能设计为突变结,而终端区域最常用的结构为场限环,在原理上也相当于突变结耐压 . 结合结终端扩展( JunctionTerminationExten-sion,JTE )技术,引入缓变结耐压,设计了一款 900V 的终端结构,实现了 992.0V 的仿真击穿电压,终端效率达到了 98.6% ,而且有效终端长度...