第一代半导体是指使用硅(Si)、锗(Ge)等半导体材料制造的半导体。硅具有更高的电阻率和导电性,可以用于更高功率的电路。第一代半导体也更加稳定和可靠,主要应用:低压、低频、中功率晶体管、光电探测器,取代了电子管,导致了集成电路的可能性。 第二代半导体是指使用砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等材料制造的半导体材料。
第二代半导体 代表材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)。 优点: 1,电子迁移率高; 2,直接带隙,在光电子应用中非常高效,因为电子可以直接跃迁,同时释放光子,比如LED,激光器中。 第三代半导体 代表材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN),硒化锌(ZnSe)。 优点:具有宽禁...
第一代半导体 第一代半导体是由单体元素构成的半导体,可以成为“元素半导体”,指的是以锗(Ge)、硅(Si)为代表的半导体,主要应用于低电压、低频、中功率晶体管和光电探测器。第一代半导体引发了集成电路为核心的微电子领域迅速发展,奠定了微电子的产业基础,带来了信息产业的飞跃。 在20世纪50年代,Ge主导半导体市场。...
第一代半导体的定义 所谓第一代半导体指的是利用硅等元素材料制成的半导体器件。20世纪初期,半导体行业还处于萌芽阶段,技术相对初级,研究和应用仍具有很大的挑战性。第一代半导体器件主要包括二极管和晶体管,这些器件的出现标志着半导体领域从实验室向商业化应用迈出了重要的一步。 第一代半导体的原理 第一代半导体器件...
第一代半导体（间接带隙&窄带隙）：1950年起，以硅（Si）为代表的半导体材料取代了笨重的电子管，推动了以集成电路为核心的微电子产业迅速发展。硅材料属于间接带隙（电子跃迁至导带时需要改变动量，光利用率低）且带隙窄（不耐压），适用于低压、低频、中功率集成电路，在光电子领域和高频高功率器件方面受限。 第...
第二代半导体材料的特点和主要功用:以GaAs (砷化镓)、InP (磷化铟)等为代表的第二代半导体材料,以砷化镓为例,相比于第一代半导体,具有高频、抗辐射、耐高温的特性,砷化镓晶片与硅晶片主要差别,在于它是一种“高频”传输使用的晶片,由于其频率高,传输距离远,传输品质好,可携带信息量大,传输速度快,耗电量低,适合...
第一阶段是以硅（Si）和锗（Ge）为代表的第一代半导体材料 第二阶段以砷化镓等化合物为代表磷化铟（磷化铟）第三阶段是基于宽带半导体材料，如氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、硒化锌（ZnSe）半导体材料与器件的发展史 材料领域中，第一代、第二代、第三代没有“一代更比一代好”的说法。氮化镓、碳化硅等材料在...
第一代半导体材料概述 第一代半导体材料主要是指硅(Si)、锗元素(Ge)半导体材料。作为第一代半导体材料的锗和硅,在国际信息产业技术中的各类分立器件和应用极为普遍的集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用,硅芯片在人类社会的...
第一阶段是以硅(Si)和锗(Ge)为代表的第一代半导体材料 第二阶段以砷化镓等化合物为代表磷化铟(磷化铟) 第三阶段是基于宽带半导体材料,如氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、硒化锌(ZnSe) 半导体材料与器件的发展史 材料领域中,第一代、第二代、第三代没有“一代更比一代好”的说法。氮化镓、碳化硅等材料在国外一般...