1.2 第二代半导体材料: 第二代半导体材料主要包括化合物半导体材料,例如砷化镓(GaAs)、铟锑化物(InSb);三元化合物半导体,如GaAsAl、GaAsP;固溶体半导体,如锗硅(Ge-Si)、砷化镓-磷化镓(GaAs-GaP);玻璃半导体(非晶态半导体),如非晶硅、玻璃态氧化物半导体;以及有机半导体,如酞菁、铜酞菁、聚丙烯腈等。 这些材料主要...
而第三代半导体,发明并实用于本世纪初年,涌现出了碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石(C)、氮化铝(AlN)等具有宽禁带(Eg>2.3eV)特性的新兴半导体材料,因此也被成为宽禁带半导体材料。 二、带隙 第一代半导体材料,属于间接带隙,窄带隙; 第二代半导体材料,直接带隙,窄带隙; 第三代半导体材料,宽...
第一代半导体材料(Si.Ge等)与第二代半导体材料(GaAs、InSb等)一起,将人类推进了信息时代。近年来,以碳化硅( SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料的出现,开辟了人类资源和能源节约型社会的新发展,也成为了科学家研究的热点:(1)基态锗原子的价电子排布图为 。(2)N、P、As位于同一主族,基态氮原子的...
第一代半导体材料是指最早期被发现并应用的半导体材料,主要包括硅、锗和砷化镓等材料。 硅是最早被广泛应用的半导体材料之一。它具有丰富的资源、稳定的化学性质和良好的半导体特性,因此被广泛应用于集成电路、太阳能电池等领域。硅材料的半导体性能是由其晶体结构和杂质掺杂等因素共同决定的。 除了硅外,锗也是一种重要...
材料领域中，第一代、第二代、第三代没有“一代更比一代好”的说法。氮化镓、碳化硅等材料在国外一般称为宽禁带半导体。将氮化镓、氮化铝、氮化铟及其混晶材料制成氮化物半导体，或将氮化镓、砷化镓、磷化铟制成Ⅲ—Ⅴ族半导体。我国使用的“第三代半导体材料”一词，对应的是人类历史上大规模应用半导体材料所带来的...
第一代半导体材料主要是指硅(Si)、锗元素(Ge)半导体材料。作为第一代半导体材料的锗和硅,在国际信息产业技术中的各类分立器件和应用极为普遍的集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用,硅芯片在人类社会的每一个角落无不闪烁着...
第二代半导体材料的特点和主要功用:以GaAs (砷化镓)、InP (磷化铟)等为代表的第二代半导体材料,以砷化镓为例,相比于第一代半导体,具有高频、抗辐射、耐高温的特性,砷化镓晶片与硅晶片主要差别,在于它是一种“高频”传输使用的晶片,由于其频率高,传输距离远,传输品质好,可携带信息量大,传输速度快,耗电量低,适合...
仔细阅读以下材料,答复以下问题:材料一:第一代半导体材料是硅,主要解决数据运算、存储问题;第二代半导体材料以砷化镓为代表,主要解决数据传输问题;第三代半导体材料以氮化镓为
由于当时荷兰语中的镁、铝、硅、钡等元素都是以「aarde」结尾,因此日语也分别照译成了苦土、礬土、珪土、重土。于是就有了书上的第一句话「珪土ハ珪石ノ質ヲ成ス土ナリ」:珪土(Si)是组成珪石(SiO2)的质的「土」。 再后来日本就摒弃了荷兰语的「土」,改为「珪素」了。再到19世纪后期,出现了「硅素」...