第三代半导体材料具有抗高温、高功率、高压、高频以及高辐射等特性,相比第一代硅基半导体可以降低50%以上的能量损失,同时使装备体积减小75%以上第三代半导体属于后摩尔定律概念,制程和设备要求相对不高,难点在于第三代半导体材料的制备,同时在设计上要有优势。 二、第三代半导体机遇 由于制造设备、制造工艺以及成本的...
二、第二代半导体 第二代半导体技术增加了化合物半导体制造工艺,如氮化镓和碳化硅等。这些化合物半导体具有较高的带隙和振荡频率,可以显著提高半导体器件的性能。第二代半导体技术的制造成本比第一代技术高,但是其优点在高功率应用中得到了广泛应用。 三、第三代半导体 第三代半导体技术采用了新的材料和新技术...
第一代半导体材料,属于间接带隙,窄带隙;第二代半导体材料,直接带隙,窄带隙;第三代半导体材料,宽禁带,全组分直接带隙。和传统半导体材料相比,更宽的禁带宽度允许材料在更高的温度、更强的电压与更快的开关频率下运行。 三、应用 第一代半导体材料主要用于分立器件和芯片制造;第二代半导体材料主要用于制作高速、高...
第一代半导体材料,属于间接带隙,窄带隙;第二代半导体材料,直接带隙,窄带隙;第三代半导体材料,宽禁带,全组分直接带隙。和传统半导体材料相比,更宽的禁带宽度允许材料在更高的温度、更强的电压与更快的开关频率下运行。 三、应用 第一代半导体材料主要用于分立器件和芯片制造;第二代半导体材料主要用于制作高速、高...
一、二、三代半导体什么区别? 一、材料 第一代半导体材料,发明并实用于20世纪50年代,以硅(Si)、锗(Ge)为代表,特别是硅,构成了一切逻辑器件的基础。我们的CPU、GPU的算力,都离不开硅的功劳。第二代半导体材料,发明并实用于20世纪80年代,主要是指化合物半导体材料,以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表。