5. 防止 punch through 方法 a）掺杂：增加沟道区的掺杂浓度可以减少耗尽区的宽度，防止它们合并。减少源极和漏极结的深度可以限制耗尽区的横向扩展。halo implant 的应用可以抑制punch through.b）先进器件：使用多栅极架构（如FinFET、GAAFET）以改善栅极控制并减少穿通效应。绝缘体上硅（SOI）衬底可以隔离晶体管体...
穿通效应(Reach-Through Effect)。当两个与衬底的掺杂类型不同的阱相邻时,穿通效应的影响就会很重要。当两个阱中电路为模拟电路时,阱的电位可能互不相同。当两个阱的电位之差足够大时,阱的耗尽区向外扩展并可能相互接触,如图1所示。从而在两个阱之间形成穿通电流,造成模拟电路直流工作点偏移。如果衬底是轻掺杂...
穿通效应原理 穿通击穿的软击穿点发生在源漏的耗尽层相接时,此时源端的载流子注入到耗尽层中,被耗尽层中的电场加速达到漏端,因此,穿通击穿的电流也有急剧增大点,这个电流的急剧增大和雪崩击穿时电流急剧增大不同,这时的电流相当于源衬底PN结正向导通时的电流,而雪崩击穿时的电流主要为PN结反向击穿时的雪崩电流,如...
穿通效应(reach-through effect)。当两个与衬底的掺杂类型不同的阱相邻时,穿通效应的影响就会很重要。当两个阱中电路为模拟电路时,阱的电位可能互不相同。当两个阱的电位之差足够大时,阱的耗尽区向外扩展并可能相互接触,如图1所示。从而在两个阱之间形成穿通电流,造成模拟电路直流工作点偏移。如果衬底是轻掺杂...
穿通效应(Reach-Through Effect)。当两个与衬底的掺杂类型不同的阱相邻时,穿通效应的影响就会很重要。当两个阱中电路为模拟电路时,阱的电位可能互不相同。当两个阱的电位之差足够大时,阱的耗尽区向外扩展并可能相互接触,如图1所示。从而在两个阱之间形成穿通电流,造成模拟电路直流工作点偏移。如果衬底是轻掺杂...
在MOS管的漏极耗尽区,由于电场强度较大,会发生穿通效应,使得电子从漏区穿过势垒到达源区。这种现象会导致电流的限制,称为空间电荷限制电流。 空间电荷限制电流是MOS管中的一种重要限制因素,它与器件的结构参数、工作温度等因素密切相关。在MOS管的漏极耗尽区,由于电子的穿通现象,会形成一个电子云,这个电子云会对...
势垒区的右侧向中性集电区扩展,左侧向中性基区扩展。这使得中性基区的宽度减小。基区宽度的减小使基区少子浓度梯度增加,必然导致电流放大系数和集电极电流的增大。这就是基区宽度调变效应(也称为厄尔利效应)。为减小厄尔利效应,应增大基区宽度,减小集电结耗尽区在基区内的宽度,即增大基区掺杂浓度。
【答案】：穿通击穿(基区穿通)是BJT的一种穿通击穿机制．在共发射极接法中，当基极开路而VCE增加时，BC结反偏压VC上升使BC结空间电荷区展宽，其中在中性基这一边可能使基区全部变成耗尽层，而和BE结的空间电荷区连通，于是反偏压VC会使发射结势垒高度降低△V．从而使很大的发射极电流流过晶体管，...
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EDA技术探索之源漏穿通解析-以NMOS为例在源漏穿通发生之后,对于载流子而言存在一个N-D-N的通道。源极的部分电子进入耗尽区后,有一定可能被电场直接扫进漏极,进而被漏极收集,从而实现电流从源极到漏极的导通。