(一)磁控溅射按照电源的不同,可以分为直流磁控溅射(DC)和射频磁控溅射(RF)。 顾名思义,直流磁控溅射运用的是直流电源,射频磁控溅射运用的是交流电源(射频属于交流范畴,频率是13.56MHz。我们平常的生活中用电频率为50Hz)。 两种方式的用途不太一样,直流磁控溅射一般用于导电型(如金属)靶材的溅射,射频一般用于非导电...
圆形磁控溅射靶圆形磁控溅射靶直径范围为:50～250mm;靶结构材料选取适合高真空的优质不锈钢和铜合金材料;磁场源采用稳定性最高的稀土钐钴永磁材料;磁场采用模块化排布并进行优化设计,有效地提高靶材利用率和设备稳定性;冷却水循环量为1L/min,能有效的保证设备的冷却效果;根据不同设备可以配置不同角度的安装头;采用Φ20...
磁控溅射（Magnetron Sputtering）是一种常见的物理气相沉积 (PVD) 工艺，是制造半导体、磁盘驱动器和光学膜层的主要薄膜沉积方法。磁控溅射具有速度快、温度低、损伤小等优点，其关键特点是使用一个磁场来控制并增强溅射过程。磁控溅射的历史 在20世纪50年代和60年代初期，物理气相沉积技术已经得到了广泛的应用，但这些...
磁控溅射设备是一种多功能、高效率的镀膜设备。可以在陶瓷、玻璃、石英、硅片等基底材料上溅镀金属、非金属、氧化物、介质等材料的薄膜,如: Au、Al、NiCr、TiW、Si、Al2O3 、Si3N4、ZnO、ITO等。溅镀膜层均匀、致密、附着力强,可应用到新型电子材料制备及光学、太阳能、 半导体等领域。 产品特点 溅射靶角度...
磁控溅射靶材的科技基础 磁控溅射技术的原理：磁控溅射（Magnetron Sputtering）是一种先进的物理气相沉积（PVD）技术，它利用磁场控制等离子体，使之高效率地击打靶材，从而将靶材料原子溅射并沉积到基底上形成薄膜。与传统的PVD技术相比，磁控溅射能提供更高的沉积速率和更低的基底温度，使其适用于更广泛的材料和更精细...
在磁控溅射过程中，首先在真空腔体中引入惰性气体（通常是氩气）。当高压电场作用于气体时，氩气被电离形成等离子体，这种等离子体由带正电的离子和自由电子组成。等离子体中的高能氩离子在电场的加速下撞击靶材表面，导致靶材原子被溅射出来。这些溅射出的原子随后沉积在基材上，逐层形成所需的薄膜。磁控溅射的物理基础 ...
有人曾这样形容磁控溅射技术——就像往平静的湖水里投入了石子溅起水花。磁控溅射真空镀膜技术是物理气相沉积（Physical Vapor Deposition）的一种，其原理是：用带电粒子加速轰击靶材表面，发生表面原子碰撞并产生能量和动量的转移，使靶材原子从表面逸出并沉积在衬底材料上的过程。磁控溅射技术得以广泛的应用，是由该技术...
射频磁控溅射（RFMS）采用射频电源（通常为13.56 MHz）来溅射靶材。射频电场使得电子和离子在交变电场中不断加速并碰撞靶材，适用于绝缘材料如SiO2。这种方式避免了直流电源在绝缘靶材上形成的电荷积累问题。射频溅射对非导电材料如SiO2的优势 RFMS对非导电材料的适应性使其成为沉积SiO2薄膜的首选方法。其主要优势包括：...
溅射 根据工艺发展顺序,溅射可以分为直流二极溅射、三极溅射、四极溅射和磁控溅射等。 直流二极溅射 直流二极溅射是制备金属薄膜的有效方法,二极是指阳极和阴极。当溅射的靶材是绝缘体时,由于撞击到靶材表面上的离子会使靶材带电,从而电位上升导致溅射过程不能持续,所以直流二极溅射不能应用于绝缘体的溅射。一般直流...
高功率脉冲磁控溅射（HiPIMS）是一种改进的物理气相沉积技术，通过在短时间内施加高功率脉冲电源来产生高密度等离子体，实现薄膜的高质量沉积。HiPIMS的脉冲功率特性是其核心所在，主要包括脉冲持续时间、脉冲间隔时间和峰值功率等参数。脉冲持续时间：HiPIMS的脉冲持续时间通常在几十微秒到几百微秒之间。短时间内的高功率...