早期的反应磁控溅射大多是由质量流量计来控制通入沉积室的反应气体的流量,从而控制沉积室反应气体的分压。近年来,许多研究人员做了大量研究与尝试工作解决这一问题。Maniv等用阻止反应气体到达靶面的方式,在基体与靶材之间,放置阻隔栅格板,Ar 从阻隔板处引入,反应气体从靠近基体处引入,这种布局可以减弱反应气体与靶面...
磁控反应溅射技术是在真空条件下进行的一种物理气相沉积技术,其基本原理是在惰性气体(如氩)的存在下,利用磁控电弧产生的高温等离子体将靶材表面原子或分子击出并沉积到基底上,从而形成所需镀层。在氧化钇镀膜过程中,将纯氧气或氧气和惰性气体的混合气体引入反应室,过量的氧气与氧化钇反应生成氧化钇镀层...
5.反应磁控溅射中调节沉积工艺参数,可以制备化学配比或非化学配比的化合物薄膜,从而达到通过调节薄膜的组成来调控薄膜特性的目的。 6.反应磁控溅射沉积过程中基板温度一般不会有很大的升高,而且成膜过程通常也并不要求对基板进行很高温度的加热,因而对基板材料的限制较少。 7.反应磁控溅射适合于制备大面积均匀薄膜,并能...
首先,在磁控溅射器中加入含有钛元素的靶材,通过感应耦合等机制,钛靶材表面的原子被高速撞击并释放出来。其次,在反应室中,钛原子与氧气分子发生化学反应,生成二氧化钛。 二、反应条件 磁控反应溅射法制备二氧化钛需要一定的反应条件。一般来说,需要在真空或惰性气体氛围下进行反应,以...