1、项目名称 第三代半导体碳化硅衬底产业化基地一期技改项目。 2、建设地点 拟建项目位于北京市大兴区大兴新城东南片区0605-022B地块现有厂房内。 3、现有工程及其环境保护情况 北京天科合达半导体股份有限公司第三代半导体碳化硅衬底产业化基地现有一期项目位于大兴新城东南片区0605-022B地块,建有1条碳化硅晶片生产线,年...
(1)项目名称:美尔森先进石墨(昆山)有限公司碳化硅衬底用高纯石墨技术改造项目 (2)项目地点:江苏省昆山市太湖南路8号万福阁园区2#厂房 (3)项目所属行业:C3099 其他非金属矿物制品制造 (4)项目内容:公司利用自有厂房,引进先进的真空纯化炉等设备合计约12台/套,对现有生产线进行技术改造,以满足市场上碳化硅衬底用石...
四、国内扩产国产衬底的大规模投产正在进行中,衬底的良率、效率、品质作为重要变量,对国内器件厂商未来的成本结构、产能瓶颈会有较大影响。 目前国内产能不足20万片,未来,据中国电子材料行业协会统计,国内SiC衬底在建和已建成的项目就低于30个,项目总规划投资额超过300亿元人民币,预计规划产能超200万片/年。这里面...
重庆三安半导体有限责任公司委托中机中联工程有限公司编制《重庆三安半导体碳化硅衬底项目环境影响报告书》,建设单位于2023年10月27日~2023年11月2日在西永微电子产业园区网站(http://www.xiyongpark.com/xiyong_content/2023-10/27/content_10607263.htm)上进行了征求意见稿公示;在网络平台公开征求意见的5个工作日内,...
碳化硅比亚迪衬底书简研发环境影响 比亚迪汽车工业有限公司碳化硅 衬底研发项目 环境影响报告书 (简本) 建设单位:比亚迪汽车工业有限公司 编制单位:深圳市汉宇环境科技有限公司 2017年9月 比亚迪汽车工业有限公司碳化硅衬底研发项目环境影响报告书简本 1 (一)建设项目概况 项目背景:碳化硅为新型第三代半导体材料,与第一代半...
四、国内扩产国产衬底的大规模投产正在进行中,衬底的良率、效率、品质作为重要变量,对国内器件厂商未来的成本结构、产能瓶颈会有较大影响。 目前国内产能不足20万片,未来,据中国电子材料行业协会统计,国内SiC衬底在建和已建成的项目就低于30个,项目总规划投资额超过300亿元人民币,预计规...
“ 以新带老”措施81 4 建设项目工程分析83 4.1 建设项目概况83 4.2 影响因素分析95 4.3 污染源源强核算 113 4.4 环境风险识别及源项分析 136 I 江苏天科合达半导体有限公司碳化硅衬底扩建项目环境影响报告书 5 环境现状调查与评价 143 5.1 自然环境概况 143 5.2 环境保护目标调查 148 5.3 环境质量现状调查与...
第三代半导体碳化硅衬底关键技术研发及产业化项目竣工环境保护验收监测报告表 江苏超芯星半导体有限公司租赁江北新区集成电路产业化基地B区5号楼A座已建厂房,利用碳化硅单晶制备、切割、研磨、抛光及晶体、晶片检测仪等设备,建设碳化硅晶体生长及加工生产线,项目建成后形成年产碳化硅衬底3万片的生产能力和规模。该项目于2024...
项目名称:山东中晶芯源半导体科技有限公司碳化硅单晶和衬底产业化项目。建设地点:济南市历城区虎山路889号。建设规模及内容:项目租赁用地占地面积约56800m2,建筑面积约54903m2,其中主要建筑的建筑面积:生产厂房48663m2、动力站2200m2、甲类库1040m2、废水站1500m2、食堂、办公1500m2;购置单晶生长炉、切割机、研磨机、抛...
江苏天科合达半导体有限公司碳化硅衬底扩建项目环境影响报告书I目录1概述...11.1项目由来...