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最近和客户及同事讨论关于碳化硅模块相关的问题，这里基于典型的SiC模块封装，讨论一下其涉及到的几个方面的问题。一.典型SiC模块的封装介绍 图1 典型SiC模块的封装 这里列出SP1,SP3F,SP6,SP6-P这几种典型的SiC模块的封装形式，可以看到SP1,SP3F,SP6-P三种封装都是兼容SOT227的封装高度，且SP1和SP3F都是基于铜...
爱仕特D21系列碳化硅模块的性能特点 爱仕特率先推出 耐压1200V、导通电阻80mΩ、可支持30A电流 的D21系列碳化硅功率模块,产品型号为:ASC30N1200D21,尺寸为42*23*6mm。 ▲爱仕特D21系列碳化硅功率模块 该模块内部搭载了6颗1200V/80mΩ爱仕特自研的第三代碳化硅芯片,具有开关速度快、功耗低、抗干扰能力强和...
车用功率模块已从硅基IGBT为主的时代,开始逐步进入以碳化硅MOSFET为核心的发展阶段。 为什么说碳化硅 是车用功率模块的未来? 碳化硅的禁带宽度约为硅基材料的3倍,临界击穿场强约为硅基材料的10倍,热导率约是硅基材料的3倍,电子饱和漂移速率约是硅基材料的2倍。碳化硅材料的耐高压、耐高温、高频特性相较于硅基...