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但韧性不好;Si3N4-AMB陶瓷材料热阻居中,韧性极好,热容参数也更出色,可靠性远超AlN和AI2O3,使得模块散热能力、电流能力、功率密度均能大幅提升,其与第三代半导体衬底SiC晶体材料的热膨胀系数更为接近,匹配更稳定非常适合汽车级的碳化硅模块应用。
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目前，碳化硅功率模块封装的主要挑战体现在电性能的发挥、芯片的热管理、芯片的高温运行以及长期可靠的绝缘四个方面。图1 传统功率模块封装截面 电力设备电气绝缘国家重点实验室（西安交通大学）的王来利、赵成、张彤宇 等，从优化设计方法所依据的基本原理出发，对各种优化技术进行分类总结，涵盖了降低高频寄生电感、增强...
框架灌封式碳化硅功率模块 塑封2in1功率模块A样件,红旗 Tesla Model 3功率模块 3.碳化硅模块的生产工艺流程 碳化硅功率模块的生产工艺流程主要包括陶瓷基板排片、银浆印刷、芯片贴片、银烧结、真空回流焊、引线框架组装焊接、引线键合、等离子清洗、塑封、X光检测、测试包装等环节。 4.碳化硅模块与IGBT封装区别 在IGBT时...
转模封装--适用高结温应用 (SiC芯片),高良率,低成本,满足客户定制化应用场景 (单管、半桥),调研发现,目前30千瓦以下的功率模块封装主要使用碳化硅器件,180千瓦以下主要采用标准框架式灌封封装技术,而180千瓦以上逐渐开始采用塑封工艺技术。 框架灌封式碳化硅功率模块 ...
碳化硅作为宽禁带半导体的代表，理论上具有极其优异的性能，有望在大功率电力电子变换器中替换传统硅IGBT，进而大幅提升变换器的效率以及功率密度等性能。但是目前商用碳化硅功率模块仍然沿用传统硅IGBT模块的封装技术，且面临着高频寄生参数大、散热能力不足、耐温低、绝缘强度不足等问题，限制了碳化硅半导体优良性能的发挥...
碳化硅芯片可以在更高的温度下使用,在高温条件下运行时,相应的封装将承受范围更大的温度循环,由此对于碳化硅模块封装的可靠性带来挑战。其中,传统的 Al2O3 和 AlN 覆铜陶瓷基板在大范围温度循环下会快速失效,无法满足可靠性要求。 目前,通常采用 Si3N4 的活性金属钎焊铜基板用于提高高温下碳化硅模块的可靠性。焊接...
AMB基板:碳化硅模块封装新趋势 碳化硅作为新一代功率器件典型代表,具有高温高频特性,对于电池效率提升和成本降低都有明显优势。目前车用进展推进迅速,实际上除了芯片技术外,封装技术也非常关键,新的封装材料和新的封装技术层出不穷。对于轨道交通、电动汽车用的高压、大电流、高功率功率模块来说,散热和可靠性是其必须...