硅-硅直接键合工艺按照要键合的硅片表面亲水性的不同分为亲水键合和疏 水键合。对于亲水键合,工艺一般分为三步: (1)将两片表面平整洁净的抛光硅片(氧化或未氧化)先经适当表面清洗 与活化(OH-溶液或等离子体)。 (2)在室温下将硅片的抛光面贴合在一起,使两硅片在室温下依靠短程的 分子间作用力吸合在一起。 (...
硅-硅直接键合工艺 硅-硅直接键合技术就是将两个抛光硅片经化学清洗和活化处理后在室温下 粘贴在一起，再经过高温退火处理，使键合界面发生物理化学反应，形成强度 很大的化学共价键连接，增加键合强度而形成一个整体。该技术具有工艺简单，两键合硅片的晶向、电阻率和导电类型可自由选择，与半导体工艺完全兼容，并且...
可代工4寸/6寸硅-硅直接键合: (1)键合界面可以是Si-Si、Si-SiO2、SiO2-SiO2。 (2)工艺单步可选有:RCA标准清洗、HF酸漂洗、热氧化、槽式湿法活化、单片湿法活化、单片干法等离子体活化、硅-硅预键合对准(±2微米)、硅-硅预键合、硅-硅键合退火(1050℃)、超声显微镜检查等。 (3)关键设备有:EVG510、EVG...
硅-硅直接键合机制 硅-硅直接键合机制评分: 对于抛光的硅片的表面,一般存在10~60Å的本征氧化层,并且在亲水活化处理的过程中,表面也会由于强氧化剂的作用生成一层本征氧化层,所以抛光硅片与氧化硅片的键合过程基本相似。硅-硅直接键合的机理目前已进行了较多的研究[4~8],整个键合机理可用三个或四个阶段的键合...
硅-硅直接键合技术(Silicon direct bonding, SDB)是键合技术中提出较晚,但是发展最为迅速,人们研究最多,应用最广泛和最为重要的键合技术之一。硅-硅直接键合技术就是将两个抛光硅片经化学清洗和活化处理后在室温下粘贴在一起,再经过高温退火处理,使键合界面发生剧烈的物理化学反应,形成强度很大的化学共价键连接,增加...
硅-硅直接键合工艺评分: 硅-硅直接键合技术就是将两个抛光硅片经化学清洗和活化处理后在室温下粘贴在一起,再经过高温退火处理,使键合界面发生物理化学反应,形成强度很大的化学共价键连接,增加键合强度而形成一个整体。该技术具有工艺简单,两键合硅片的晶向、电阻率和导电类型可自由选择,与半导体工艺完全兼容,并且键合强...
硅-硅直接键合杂质分布模型 在键合过程中,为了使两抛光硅片在室温下良好地贴合在一起,先对硅片进行表面处理,使表面生成一薄层本征二氧化硅以吸附OH集团,界面上的羟基(-OH)发生聚合反应生成二氧化硅,Si-OH+OH-Si→Si-O-Si+H2O。因此键合硅片界面有氧化层存在。实验证明,氧化层厚度在200-600℃范围内随温度升高而...
硅熔键合。#硅 硅晶圆直接键合技术诞生于20世纪80年代,由美国IBM公司的Lasky和日本东芝公司的Shimbo等人所提出。该技术是把两片镜面抛光硅晶圆片(氧化或未氧化均可)经表面清洗,在室温下直接贴合,再经过退火处理提高键合强度,将两片晶圆结合成为一个整体的技术。为获得足够高的硅-硅晶圆键合强度,往往需要施加较高的...
对于抛光的硅片的表面,一般存在10~60Å的本征氧化层,并且在亲水活化处理的过程中,表面也会由于强氧化剂的作用生成一层本征氧化层,所以抛光硅片与氧化硅片的键合过程基本相似。硅-硅直接键合的机理目前已进行了较多的研究[4~8],整个键合机理可用三个或四个阶段的键合过程进行描述,这里用四个键合阶段对键合机理进行描...