可代工4寸/6寸硅-硅直接键合: (1)键合界面可以是Si-Si、Si-SiO2、SiO2-SiO2。 (2)工艺单步可选有:RCA标准清洗、HF酸漂洗、热氧化、槽式湿法活化、单片湿法活化、单片干法等离子体活化、硅-硅预键合对准(±2微米)、硅-硅预键合、硅-硅键合退火(1050℃)、超声显微镜检查等。 (3)关键设备有:EVG510、EVG...
硅硅直接键合工艺的原理是利用金属键合技术将芯片直接键合到基板上。这种技术可以在不使用任何粘合剂的情况下实现芯片和基板的键合,从而避免了粘合剂可能带来的问题。此外,硅硅直接键合工艺还可以实现多芯片的键合,从而实现更高的集成度和更小的封装尺寸。 硅硅直接键合工艺的优点主要包括以下几个方面: 1. 高可靠性。
总结起来就是,硅硅直接键合,前处理要好,键合过程最简单,对准后放着就行了,后处理的退火是重点,键合本身比较简单。
硅-硅直接键合工艺按照要键合的硅片表面亲水性的不同分为亲水键合和疏 水键合。对于亲水键合,工艺一般分为三步: (1)将两片表面平整洁净的抛光硅片(氧化或未氧化)先经适当表面清洗与活化(OH-溶液或等离子体)。 (2)在室温下将硅片的抛光面贴合在一起,使两硅片在室温下依靠短程的分子间作用力吸合在一起。 (3)...
硅片直接键合技术是一种新型的封装技术,其主要原理是将两块硅片通过原子级别的键合在一起,从而形成一个完整封装的芯片。硅片直接键合技术主要应用于集成电路、太阳能电池、传感器等领域。 在集成电路领域,硅片直接键合技术可以解决高端芯片的封装问题。相比传统的封装技术,硅片直接键合技术可以大大...
硅-硅直接键合技术(Silicon direct bonding, SDB)是键合技术中提出较晚,但是发展最为迅速,人们研究最多,应用最广泛和最为重要的键合技术之一。硅-硅直接键合技术就是将两个抛光硅片经化学清洗和活化处理后在室温下粘贴在一起,再经过高温退火处理,使键合界面发生剧烈的物理化学反应,形成强度很大的化学共价键连接,增加...
硅-硅直接键合工艺按照要键合的硅片表面亲水性的不同分为亲水键合和疏 水键合。对于亲水键合，工艺一般分为三步： （1）将两片表面平整洁净的抛光硅片（氧化或未氧化）先经适当表面清洗 与活化（OH-溶液或等离子体）。 （2）在室温下将硅片的抛光面贴合在一起，使两硅片在室温下依靠短程的 分子间...
硅-硅直接键合技术(silicon direct bonding, sdb)是键合技术中提出较晚,但是发展最为迅速,人们研究最多,应用最广泛和最为重要的键合技术之一。硅-硅直接键合技术就是将两个抛光硅片经化学清洗和活化处理后在室温下粘贴在一起,再经过高温退火处理,使键合界面发生剧烈的物理化学反应,形成强度很大的化学共价键连接,增加...
目前硅晶圆键合技术主要有:阳极键合、中介层键合、直接键合。阳极键合需要 将待键合的硅晶圆接电源正极,玻璃接负极,同时将玻璃硅片加热到一定温度, 因此不能用于硅-硅直接键合。 而低温下硅-硅直接键合相容性好,极少产生应力,且电化学特性较好。硅-硅直 接键合与其表面能密切相关。等离子体处理机运用低温氧等离子体...