集成电路工艺基础—硅的晶体结构培训课件 2020年4月30日星期四 •第一章硅的晶体结构与单晶生长 •第一章硅的晶体结构与单晶生长 •第一章硅的晶体结构与单晶生长 ❖1.1硅晶体结构的特点❖1.2晶向、晶面和堆积模型❖1.3硅晶体中的缺陷❖1.4硅中的杂质❖1.5杂质在硅晶体中的溶解度❖1.6硅...
第六章 化学气相沉积 硅集成电路工艺基础教学课件.ppt,6.6.2 硅化钨的化学气相沉积 CVD硅化钨薄膜在ploycide(多晶硅/难熔金属硅化物)多层栅结构中广泛应用,WSix是以覆盖方式淀积在掺杂的多晶硅薄膜上,然后被刻蚀形成ploycide栅结构。 1 淀积WSix薄膜的化学反应式: 要增
第二章 氧化 硅集成电路工艺基础教学课件.ppt,氧化物厚度的测量-椭偏法 氧化物厚度的测量-光反射法 2.7、Si-SiO2界面特性 在SiO2内和Si-SiO2界面中有四种类型的电荷,各种不同类型的电荷的符号和术语如下: (1)单位面积里可动离子电荷: Qm(C/cm2); (2)单位面积里氧化层固