耐腐蚀性：硅化物对多数酸、碱和盐类具有很好的抵抗性，适合在恶劣化学环境中使用。热导性：部分硅化物如硅化钼具有较高的热导率，有助于热能的有效传输。电导性：硅化物制品的电导性可用于高温下的电热元件。低热膨胀系数：硅化物制品在温度变化下体积变化小，有助于保持结构的稳定性。三、硅化物制品的应用领...
Co和NiPt等)与直接接触的有源区和多晶硅栅的硅反应形成Silicide,金属不会与接触的SiO2、Si3N4和SiON等介质材料发生反应,所以Silicide能够很好地与有源区和多晶硅栅对准,把同时在有源区和多晶硅栅上形成Silicide的技术称为自对准金属硅化物(Self Aligned Silic...
传统的 CMOS 工艺(如32nm或更早的节点上)是基于氧化硅/多晶硅结构形成源漏的(即非 HKMG 和非应变源漏的工艺流程),因此称为先栅 ( Gate-First)工艺。在有源区和多晶硅栅区多采用同时形成硅化物的自对准技术,如图所示。 形成多晶硅栅和源漏之后,先用湿法或干法清除在有源区 (AA)和多晶硅栅表面的氧化物,溅射...
Silicide、salicide、polycide这三个词感觉很绕,为此跟大家一起来区分下。首先三者都是金属硅化物,金属硅化物技术是为了降低接触电阻,减小RC延时。从成分上来看,三者没有太大区别,但polycide的生成位置不同,…
为了降低接触电阻和串联电阻,在集成电路制造中引入了硅化物工艺,业界先后采用了可规模生产的 WSi2 、TiSi2、CoSi2、NiSi 等工艺。 早期发展起来的钨硅化物工艺采用 WF6 作为钨原料,并用Si2H6作为硅原料,通过 CVD 加热技术将其沉积到多晶硅表面后生成钨硅化物。
Salicide技术是在标准CMOS工艺技术基础上增加硅金属化的相关工艺步骤,形成Salicide的基本工艺步骤是首先利用物理气相淀积在多晶硅栅和有源区上淀积一层金属。然后进行两次快速热退火处理(RTA)以及一次选择性湿法刻蚀处理,最终在多晶硅表面和有源区表面形成金属硅化物,包括TiSi2,CoSi2和NiPtSi等薄膜(引用自参考文献2)。对...
天然硅化物的形成原理 天然硅化物的形成原理主要涉及以下两个方面的过程: 1.硅源供应:硅化物的形成需要有充足的硅源供应。硅化物主要由硅酸盐和硅酸酯等硅化合物提供硅元素。这些硅化合物可以通过水溶液中的硅酸根离子(SiO42-)或有机物中的硅酸根基团提供。 2.沉积条件:硅化物的形成需要适宜的沉积条件。通常...
SAM工艺通过在硅表面形成金属硅化物层,用于改善电阻、接触和互连等关键性能,从而提高集成电路器件的性能。 2. SAM工艺步骤 SAM工艺包括以下几个主要步骤: 2.1 预处理 在SAM工艺开始之前,需要对硅片进行预处理。预处理包括清洗硅片表面、去除表面氧化物和有机物等步骤,以确保硅片表面的纯净度和平整度。 2.2 金属沉积...
硅化钽 化工原料硅化物无机盐 99%含量 12067-56-0 现货 江苏博思特化工科技有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 江苏 南通市 ¥28.00 POM加硅类耐磨 TS-25A硅化物填充 耐磨擦 适用于设计复杂的产品 东莞市科琦塑胶有限公司3年 月均发货速度:暂无记录 ...
1. 硅化物半导体 硅化物半导体是硅与第三族元素结合形成的材料。典型的代表是氮化硅(SiC)。由于其宽的能带间隙、高的电子迁移率和出色的热稳定性,SiC成为了电力电子设备中的热门材料。 特点: 宽能带间隙:这使得SiC在高温环境中仍能保持良好的半导体特性。