同时基于Au是延展性最好的金属，进一步减小中间插入层Au的厚度，结果显示2nm Au插入层能在保障器件暗电流性能的前提下明显地提升响应度，从而得到更高的光/暗电流比，大幅改善硅基肖特基光电探测器的整体性能（图3）。该工作作为一种具有低暗电流密度的硅基红外光电探测器将为实现光通信中单片集成纯硅光电探测器提...
金融界 2024 年 9 月 10 日消息，天眼查知识产权信息显示，上海集成电路研发中心有限公司申请一项名为“提升锗外延工艺质量的方法、器件中间结构及制作方法“，公开号 CN202310210977.5，申请日期为 2023 年 3 月。专利摘要显示，本发明公开了一种提升锗外延工艺质量的方法、器件中间结构及制作方法，器件中间结构包括...
上海集成电路研发中心申请提升锗外延工艺质量相关专利,能减小光电探测器暗电流,提升硅光芯片性能 来源:金融界发表于:2024年09月10日 相关企业: 上海集成电路研发中心有限公司 金融界 2024 年 9 月 10 日消息,天眼查知识产权信息显示,上海集成电路研发中心有限公司申请一项名为“提升锗外延工艺质量的方法、器件中间结...
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同时基于Au是延展性最好的金属,进一步减小中间插入层Au的厚度,结果显示2nm Au插入层能在保障器件暗电流性能的前提下明显地提升响应度,从而得到更高的光/暗电流比,大幅改善硅基肖特基光电探测器的整体性能(图3)。该工作作为一种具有低暗电流密度的硅...
结果显示2nm Au插入层能在保障器件暗电流性能的前提下明显地提升响应度,从而得到更高的光/暗电流比,大幅改善硅基肖特基光电探测器的整体性能(图3)。 图3. (a) 2-6nm Au肖特基光电探测器暗态室温J?V特性。(b) 0-6nm Au肖特基光电探测器Ln(J/T2)...
近年来,硅基肖特基二极管基于独特的内光电发射机制备受关注,它能在室温下探测到能量低于硅带隙的光,且材料结构和制造工艺简单廉价,有可能满足纯硅近红外光电探测器的需要。然而传统的金属-硅结构探测器存在响应低的缺陷,用透明导电玻璃(ITO)代替传统金属可以有效改善器件响应度,但也面临暗电流过大的问题,严重影响探测...
上海集成电路研发中心申请提升锗外延工艺质量相关专利,能减小光电探测器暗电流,提升硅光芯片性能,专利,半导体,外延工艺,光电探测器
本发明能有效减小锗外延缺陷与位错密度,由此能减小光电探测器暗电流,提升硅光芯片性能。