暗电流吸除工艺应力补偿工艺为降低硅光电探测器p-n结反向暗电流,可在器件制作工艺中采用一系列完美晶体器件工艺PCDT.在实施过程中,作者对吸除工艺,应力补偿工艺等作了改进,进一步降低了反向暗电流.朱光华华东理工大学光电器件研制室郑国祥半导体技术朱光华,郑国祥. 改进器件工艺降低硅光电探测器暗电流[J]. 半导体...
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