(1)直接带隙: A.价带极大值和导带极小值都位于k空间的原点; B.价带的电子跃迁到导带时,只要求能量的改变,而电子的准动量不发生变化,称为直接跃迁(c)直接跃迁对应的半导体材料称为直接禁带半导体。 例子:GaAs,GaN,ZnO (2)间接带隙: A.价带的极大值和导带的极小值不位于k空间的原点上; B.价带的电子跃迁...
1. 直接带隙半导体: - 氮化镓(GaN):是一种广泛应用于LED、紫外光探测器、太阳能电池等设备中的短波长半导体材料。 - 磷化铟(InP):是高速电子器件界限频率最高的半导体材料之一,通常用于高速传输和通信领域。 - 硒化锌(ZnSe):是一种应用广泛的半导体材料,用于制造单晶、薄...
直接带隙材料：具有较高的光电转换效率，适用于光电探测器、太阳能电池等应用。间接带隙材料：适用于高温环境和辐射环境下的应用，例如半导体激光器、半导体辐射探测器等。综上所述，直接带隙材料和间接带隙材料在应用上有明显的区别，选择合适的材料对于应用场景至关重要。
参考答案:(1)直接带隙: A.价带极大值和导带极小值都位于k空间的原点; B.价带的电子跃迁到导带时,只要求... 点击查看完整答案 您可能感兴趣的试卷 你可能感兴趣的试题 1.问答题在半导体中电子分布须遵循哪些基本原则和规则? 参考答案:(1)最低能量原理:先填充低能级轨道,使原子系统能量最低; ...
常见的直接带隙半导体材料有氮化镓(GaN)、磷化铟(InP)和硒化锌(ZnSe)等。 间接带隙半导体指的是价带和导带在动量空间上重叠较大,在吸收光子的过程中会生成电子空穴对,但光子激发电子过程不是很高效,因此光电导性能较差,吸收光谱宽,同时复合时间很长,辐射效率低。常见的间接带隙半导...